Table | Card | RUSMARC | |
Allowed Actions: –
Action 'Read' will be available if you login or access site from another network
Action 'Download' will be available if you login or access site from another network
Group: Anonymous Network: Internet |
Annotation
Соответствует содержанию авторского курса “Твердотельная электроника” для обучающихся по направлению 223200 “Техническая физика” по бакалаврской подготовке. Рассмотрены основы теории полупроводниковых гетероструктур. Дана классификация полупроводников с изменяющимся по координате химическим составом (неоднородный полупроводник - гомоструктура, варизонный полупроводник — гетероструктура). На примере контакта двух однородных полупроводников рассмотрено формирование энергетической диаграммы анизотипного идеального гетероперехода. Дана теория вольт-фарадной и вольт-амперной характеристик перехода. Предназначено для студентов, обучающихся по направлению бакалавров “Техническая физика”, также может быть использовано при обучении бакалавров по направлениям “Электроника и микроэлектроника”, “Электроника и наноэлекгроника” и “Инфокоммуникационные технологии и системы связи”.
Печатается по решению редакционно-издательского совета Санкт-Петербургского государственного политехнического университета.
Document access rights
Network | User group | Action | ||||
---|---|---|---|---|---|---|
ILC SPbPU Local Network | All | |||||
Internet | Authorized users SPbPU | |||||
Internet | Anonymous |
Table of Contents
- ОГЛАВЛЕНИЕ
- Список принятых обозначений
- Предисловие
- 1. Классификация полупроводников с изменяющимся по координате химическим составом
- 2. Модели гетеропереходов
- 3. Идеальный гетеропереход — модель Андерсона
- 4. Неидеальный гетеропереход
- 5. Пример выполнения расчетного задания
- Библиографический список
- Приложение
Usage statistics
Access count: 55
Last 30 days: 0 Detailed usage statistics |