Детальная информация

Название: Твердотельная электроника. Расчеты полупроводниковых гетеропереходов: учебное пособие для студентов высших учебных заведений, обучающихся по направлению подготовки бакалавров “Техническая физика”
Авторы: Гаврикова Татьяна Андреевна; Ильин Владимир Иванович; Полухин Иван Сергеевич
Организация: Санкт-Петербургский государственный политехнический университет
Выходные сведения: Санкт-Петербург: Изд-во Политехн. ун-та, 2013
Электронная публикация: Санкт-Петербург, 2020
Коллекция: Учебная и учебно-методическая литература; Общая коллекция
Тематика: Электроника твердотельная; Полупроводниковые гетеропереходы
УДК: 537.311.322(075.8); 621.382(075.8)
Тип документа: Учебное издание
Тип файла: PDF
Язык: Русский
Код специальности ФГОС: 16.00.00
Группа специальностей ФГОС: 160000 - Физико-технические науки и технологии
DOI: 10.18720/SPBPU/2/si20-675
Права доступа: Доступ по паролю из сети Интернет (чтение, печать, копирование)

Разрешенные действия:

Действие 'Прочитать' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети Действие 'Загрузить' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети

Группа: Анонимные пользователи

Сеть: Интернет

Аннотация

Соответствует содержанию авторского курса “Твердотельная электроника” для обучающихся по направлению 223200 “Техническая физика” по бакалаврской подготовке. Рассмотрены основы теории полупроводниковых гетероструктур. Дана классификация полупроводников с изменяющимся по координате химическим составом (неоднородный полупроводник - гомоструктура, варизонный полупроводник — гетероструктура). На примере контакта двух однородных полупроводников рассмотрено формирование энергетической диаграммы анизотипного идеального гетероперехода. Дана теория вольт-фарадной и вольт-амперной характеристик перехода. Предназначено для студентов, обучающихся по направлению бакалавров “Техническая физика”, также может быть использовано при обучении бакалавров по направлениям “Электроника и микроэлектроника”, “Электроника и наноэлекгроника” и “Инфокоммуникационные технологии и системы связи”.

Печатается по решению редакционно-издательского совета Санкт-Петербургского государственного политехнического университета.

Права на использование объекта хранения

Место доступа Группа пользователей Действие
Локальная сеть ИБК СПбПУ Все Прочитать Печать Загрузить
Интернет Авторизованные пользователи Прочитать Печать Загрузить
-> Интернет Анонимные пользователи

Оглавление

  • ОГЛАВЛЕНИЕ
  • Список принятых обозначений
  • Предисловие
  • 1. Классификация полупроводников с изменяющимся по координате химическим составом
  • 2. Модели гетеропереходов
  • 3. Идеальный гетеропереход — модель Андерсона
  • 4. Неидеальный гетеропереход
  • 5. Пример выполнения расчетного задания
  • Библиографический список
  • Приложение

Статистика использования

stat Количество обращений: 10
За последние 30 дней: 1
Подробная статистика