Детальная информация

Пособие соответствует государственному образовательному стандарту дисциплины "Микроэлектронные и полупроводниковые приборы" направления магистерской подготовки 553100 "Техническая физика". Является продолжением учебного пособия "Принципы микроэлектроники", часть 1. Но если первая часть была посвящена технико-экономическому анализу основных движущих сил микроэлектроники, то вторая - затрагивает проблемы эффективного синтеза. Рассмотрены основные ограничения и достоинства различных методов создания микрорисунка на поверхности подложки - широко применяемых и начинающих развиваться наряду с разрабатывавшимися прежде, но оставленными или забытыми по тем или иным причинам. Главное внимание уделено выбору и оценке предельных физических возможностей различных технологических процессов, приемов и конструкций. Проанализирована предельная и достигнутая разрешающая способность волновых и пучковых методов, а также методы точного переноса изображения в рабочие слои материала подложки. Наряду с простейшими "трафаретными" методами исследованы процессы фотолитографии, рентгенолитографии, литографии вакуумно-ультрафиолетовым излучением - в вариантах контактной или теневой, или оптической проекции изображения, а также электронолитографии и ионолитографии как проекционной, так и остросфокусированным пучком. Излагаются наиболее современные идеи создания нанолитографа с проекционной рентгеновской оптикой. Предназначено для студентов радиофизических специальностей физико-технического факультета, изучающих дисциплину "Микроэлектронные и полупроводниковые приборы" в рамках магистерской подготовки и может быть полезно широкому кругу специалистов, связанных с микроэлектронными технологическими процессами, с расчетом и конструированием элементов интегральных схем и электронной аппаратуры, их использующей.

Печатается по решению редакционно-издательского совета Санкт-Петербургского государственного политехнического университета.