| Таблица | Карточка | RUSMARC | |
|
|
Разрешенные действия: –
Действие 'Прочитать' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети
Действие 'Загрузить' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети
Группа: Анонимные пользователи Сеть: Интернет |
Аннотация
В пособии излагается часть курса «Физические и химические свойства полупроводников», посвященная дефектам полу проводников. Рассмотрены тепловые, электронные и точечные дефекты кристаллов. Особое внимание уделено примесям и основам легирования полупроводников. С химических позиции изложены вопросы равновесия и взаимодействия дефектов, приводятся линейные и поверхностные дефекты материалов, обсуждается влияние дефектов на электрические свойства полупроводников. Эти разделы имеют исключительно большое значение для понимания свойств полупроводниковых материалов. Пособие предназначено для студентов спец. 0643, а также аспирантов и научных работников, специализирующихся в области физики и химии полупроводников.
Права на использование объекта хранения
| Место доступа | Группа пользователей | Действие | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| Локальная сеть ИБК СПбПУ | Все |
|
||||
| Внешние организации №2 | Все |
|
||||
| Внешние организации №1 | Все |
|
||||
| Интернет | Авторизованные пользователи СПбПУ |
|
||||
| Интернет | Авторизованные пользователи (не СПбПУ) |
|
||||
|
Интернет | Анонимные пользователи |
Оглавление
- Содержание
- Г л а в а 1. Тепловые и электронные дефекты
- Г л а в а 2. Точечные дефекты
- Г л а в а 3. Равновесие дефектов
- Г л а в а 4. Взаимодействие дефектов
- Г л а в а 5. Линейные и поверхностные дефекты
- Литература
- Пустая страница
Статистика использования
|
|
Количество обращений: 5
За последние 30 дней: 0 Подробная статистика |