В настоящей работе рассмотрена методика исследования спиновой динамики в полупроводнике с временным разрешением, основанная на использовании магнитооптического эффекта Керра в режиме накачка-зондирование, а также описана установка, реализующая эту методику. Экспериментальная установка, собранная с моим участием, была проверена на тестовой гетероструктуре с квантовой ямой GaAs/AlGaAs. Были измерены временные зависимости эффекта Керра в данной структуры при комнатной температуре. Проведён анализ полученных данных и посчитано время жизни спина, которое составило 80 пс.

This paper presents a method to study spin dynamics in semiconductors with a time resolution based on the pump-probe magneto-optical Kerr effect, as well as the detailed description of the experimental set-up realizing this method. The experimental set-up, assembled with my participation, was tested on the heterostructure with quantum well GaAs/AlGaAs. The time dependencies of the Kerr effect in the structure under study were measured at room temperature. The spin lifetime of 80 ps was found from an analysis of the obtained data.