Гончаренко, Наталья Евгеньевна. Исследование светодиодов среднего ИК излучения с длиной волны 2.5-2.7 мкм на основе гетероструктур n-GaInAsSb/p-GaSb [Электронный ресурс]: дипломная работа: 210104 / Н. Е. Гончаренко; Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций ; науч. рук. Ю. П. Яковлев. — Электрон. текстовые дан. (1 файл : 1,55 МБ). — Санкт-Петербург, 2016. — Загл. с титул. экрана. — Доступ по паролю из сети Интернет (чтение, печать, копирование). — Текстовый файл. — Adobe Acrobat Reader 7.0. — <URL:http://elib.spbstu.ru/dl/2/v16-1125.pdf>. — <URL:http://doi.org/10.18720/SPBPU/2/v16-1125>.