Details

Title: Люминесценция эпитаксиальных слоев InAs[1−x]Sb[x]: дипломная работа: 210104
Creators: Казимирский Сергей Владимирович
Scientific adviser: Паневин Вадим Юрьевич
Organization: Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций
Imprint: Санкт-Петербург, 2016
Collection: Выпускные квалификационные работы; Общая коллекция
Subjects: люминесценция; анизотропия; эпитаксиальные слои; luminescence; anisotropy; epitaxial layers
Document type: Specialist graduation qualification work
File type: PDF
Language: Russian
Level of education: Specialist
Speciality code (OKSO): 210104
Speciality group (OKSO): 210000 - Электронная техника, радиотехника и связь
DOI: 10.18720/SPBPU/2/v16-1126
Rights: Доступ по паролю из сети Интернет (чтение, печать, копирование)
Record key: RU\SPSTU\edoc\33285

Allowed Actions:

Action 'Read' will be available if you login or access site from another network Action 'Download' will be available if you login or access site from another network

Group: Anonymous

Network: Internet

Annotation

Данная работа посвящена исследованию оптических явлений в полупроводниковых материалах, перспективных с точки зрения разработки новых источников излучения, работающих в среднем инфракрасном диапазоне спектра. В работе исследованы структуры с эпитаксиальными слоями InAs[1−x]Sb[x] с различным содержанием Sb (x = 0,4 и x = 0,6). Для данных структур методом фурье-спектроскопии были исследованы спектры фото- и электролюминесценции в диапазоне энергий квантов света от 70 до 600 мэВ при различных температурах в диапазоне от 8 К до 300 К и различных уровнях возбуждения. Получено удовлетворительное соответствие расчетных значений запрещенной зоны с экспериментально полученными данными. В образце InAs[0,6]Sb[0,4] исследована анизотропия поляризации рекомбинационного излучения возникающего условиях межзонного пробоя в сильном электрическом поле.

This work is devoted to the study of optical phenomena in semiconductor materials, which could be used as a basis for new detectors and radiation sources operating in the mid-infrared spectral range. We have studied the structure with InAs[1−x]Sb[x] epitaxial layers with different Sb content (x = 0,4 and x = 0,6). Experimental study was performed by means Fourier transform spectroscopy of the photo- and electroluminescence in the photon energy range from 70 to 600 meV for different temperatures from 8 K to 300 K and at different excitation levels. A satisfactory agreement between the calculated values of the band gap with the experiment data have been obtained. In the InAs[0,6]Sb[0,4] sample the polarization anisotropy of recombination radiation arising under interband breakdown in a strong electric field have been studied.

Document access rights

Network User group Action
ILC SPbPU Local Network All Read Print Download
External organizations N2 All Read
External organizations N1 All
Internet Authorized users SPbPU Read Print Download
Internet Authorized users (not from SPbPU, N2) Read
Internet Authorized users (not from SPbPU, N1)
-> Internet Anonymous

Usage statistics

stat Access count: 913
Last 30 days: 0
Detailed usage statistics