Данная работа посвящена исследованию оптических явлений в полупроводниковых материалах, перспективных с точки зрения разработки новых источников излучения, работающих в среднем инфракрасном диапазоне спектра. В работе исследованы структуры с эпитаксиальными слоями InAs[1−x]Sb[x] с различным содержанием Sb (x = 0,4 и x = 0,6). Для данных структур методом фурье-спектроскопии были исследованы спектры фото- и электролюминесценции в диапазоне энергий квантов света от 70 до 600 мэВ при различных температурах в диапазоне от 8 К до 300 К и различных уровнях возбуждения. Получено удовлетворительное соответствие расчетных значений запрещенной зоны с экспериментально полученными данными. В образце InAs[0,6]Sb[0,4] исследована анизотропия поляризации рекомбинационного излучения возникающего условиях межзонного пробоя в сильном электрическом поле.

This work is devoted to the study of optical phenomena in semiconductor materials, which could be used as a basis for new detectors and radiation sources operating in the mid-infrared spectral range. We have studied the structure with InAs[1−x]Sb[x] epitaxial layers with different Sb content (x = 0,4 and x = 0,6). Experimental study was performed by means Fourier transform spectroscopy of the photo- and electroluminescence in the photon energy range from 70 to 600 meV for different temperatures from 8 K to 300 K and at different excitation levels. A satisfactory agreement between the calculated values of the band gap with the experiment data have been obtained. In the InAs[0,6]Sb[0,4] sample the polarization anisotropy of recombination radiation arising under interband breakdown in a strong electric field have been studied.