Детальная информация
| Название | Моделирование процесса переноса заряда в наноуглеродных пленках: бакалаврская работа: 16.03.01 |
|---|---|
| Авторы | Осипов Василий Сергеевич |
| Научный руководитель | Архипов Александр Викторович |
| Организация | Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций |
| Выходные сведения | Санкт-Петербург, 2016 |
| Коллекция | Выпускные квалификационные работы ; Общая коллекция |
| Тематика | полевая эмиссия электронов ; низковольтная автоэлектронная эмиссия ; двухбарьерная модель эмиссии ; наноуглеродные материалы ; компьютерное моделирование ; field emission of electrons ; low-voltage field emission ; double-barrier model of the emission ; nanocarbon materials ; computer modeling |
| Тип документа | Выпускная квалификационная работа бакалавра |
| Язык | Русский |
| Уровень высшего образования | Бакалавриат |
| Код специальности ФГОС | 16.03.01 |
| Группа специальностей ФГОС | 160000 - Физико-технические науки и технологии |
| DOI | 10.18720/SPBPU/2/v16-2759 |
| Права доступа | Доступ по паролю из сети Интернет (чтение, печать, копирование) |
| Ключ записи | RU\SPSTU\edoc\35021 |
| Дата создания записи | 15.12.2016 |
Разрешенные действия
–
Действие 'Прочитать' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети
Действие 'Загрузить' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети
| Группа | Анонимные пользователи |
|---|---|
| Сеть | Интернет |
Проводится численное 3d моделирование переноса электрического заряда и низковольтной электронной эмиссии в наноразмерной системе, включающей в себя кремниевую подложку с неоднородным распределением легирующей примеси и островковое углеродное покрытие. Используется метод конечных элементов и среда моделирования COMSOL.
Charge transport and low-field electron emission prosesses has been investigated using numerical 3d modeling in nanoscale system consisting of nano-islands on silicon substrate with nonuniform dopant distribution. The computer simulations were performed by the finite element method in COMSOL Multiphysics.
| Место доступа | Группа пользователей | Действие |
|---|---|---|
| Локальная сеть ИБК СПбПУ | Все |
|
| Интернет | Авторизованные пользователи СПбПУ |
|
| Интернет | Анонимные пользователи |
|
Количество обращений: 363
За последние 30 дней: 0
