Таблица | Карточка | RUSMARC | |
Разрешенные действия: –
Действие 'Прочитать' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети
Действие 'Загрузить' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети
Группа: Анонимные пользователи Сеть: Интернет |
Аннотация
Работа посвящена исследованию накопления структурных нарушений в кремнии при облучении атомарными и молекулярными ионами для создания светоизлучающих структур на основе дислокационной люминесценции, и включает в себя обзор литературных данных, методику эксперимента и экспериментальные данные с описанием результатов.
Accumulation of structural defects in silicon irradiated with atomic and molecular ions was investigated. The study is directed onto development of light-emitting structures based on dislocation luminescence. The thesis includes a literary data review, describes experimental techniques, presents and discusses the acquired experimental results.
Права на использование объекта хранения
Место доступа | Группа пользователей | Действие | ||||
---|---|---|---|---|---|---|
Локальная сеть ИБК СПбПУ | Все | |||||
Интернет | Авторизованные пользователи СПбПУ | |||||
Интернет | Анонимные пользователи |
Статистика использования
Количество обращений: 264
За последние 30 дней: 0 Подробная статистика |