Разработан и реализован макет установки для измерения шумов тока в транзисторах с высокой подвижностью электронов. В результате проделанной работы был разработан малошумящий измерительный усилитель, согласованный по коэффициенту шума с источником сигнала с внутренним сопротивлением 1-10 Ом, имеющий коэффициент усиления не менее 60 дБ в полосе частот от 10 Гц до 1 МГц, и фильтры низких частот с частотами среза 10 кГц и 250 кГц и крутизной спада АЧХ не менее 10 дБ на октаву. С помощью описанной методики были измерены собственные шумы разработанной измерительной установки и проведена оценка ее предельной чувствительности.

Designed and implemented the layout of the installation for measurement of the noise current in transistors with high electron mobility. As a result of the done work has been developed a low-noise instrument amplifier, coordinated on noise coefficient with the signal source with an internal resistance of 1-10 Ohms, having amplification factor not less than 60 dB in the frequency band from 10 Hz to 1 MHz, and low pass filters with cutoff frequencies of 10 kHz and 250 kHz and a slope of the frequency response of not less than 10 dB per octave. Using the described method were measured private noise of the experimental installation and was made the evaluation of its limit of sensitivity.