С 17 марта 2020 г. для ресурсов (учебные, научные, материалы конференций, статьи из периодических изданий, авторефераты диссертаций, диссертации) ЭБ СПбПУ, обеспечивающих образовательный процесс, установлен особый режим использования. Обращаем внимание, что ВКР/НД не относятся к этой категории.

Детальная информация

Название: Разработка экспериментальной установки для измерения шумов тока в мощных СВЧ - транзисторах: бакалаврская работа: 11.03.01
Авторы: Бабко Павел Григорьевич
Научный руководитель: Мещеряков Александр Владимирович
Организация: Санкт-Петербургский государственный политехнический университет. Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций
Выходные сведения: Санкт-Петербург, 2016
Коллекция: Выпускные квалификационные работы; Общая коллекция
Тематика: транзистор с высокой подвижностью электронов (HEMT); двухмерный электронный газ; методика флуктуаций тока; transistor with high electron mobility (HEMT); two-dimensional electron gas; the technique of current fluctuations
Тип документа: Выпускная квалификационная работа бакалавра
Тип файла: PDF
Язык: Русский
Код специальности ФГОС: 11.03.01
Группа специальностей ФГОС: 110000 - Электроника, радиотехника и системы связи
DOI: 10.18720/SPBPU/2/v16-2976
Права доступа: Свободный доступ из сети Интернет (чтение)

Разрешенные действия:

Действие 'Прочитать' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети

Группа: Анонимные пользователи

Сеть: Интернет

Аннотация

Разработан и реализован макет установки для измерения шумов тока в транзисторах с высокой подвижностью электронов. В результате проделанной работы был разработан малошумящий измерительный усилитель, согласованный по коэффициенту шума с источником сигнала с внутренним сопротивлением 1-10 Ом, имеющий коэффициент усиления не менее 60 дБ в полосе частот от 10 Гц до 1 МГц, и фильтры низких частот с частотами среза 10 кГц и 250 кГц и крутизной спада АЧХ не менее 10 дБ на октаву. С помощью описанной методики были измерены собственные шумы разработанной измерительной установки и проведена оценка ее предельной чувствительности.

Designed and implemented the layout of the installation for measurement of the noise current in transistors with high electron mobility. As a result of the done work has been developed a low-noise instrument amplifier, coordinated on noise coefficient with the signal source with an internal resistance of 1-10 Ohms, having amplification factor not less than 60 dB in the frequency band from 10 Hz to 1 MHz, and low pass filters with cutoff frequencies of 10 kHz and 250 kHz and a slope of the frequency response of not less than 10 dB per octave. Using the described method were measured private noise of the experimental installation and was made the evaluation of its limit of sensitivity.

Права на использование объекта хранения

Место доступа Группа пользователей Действие
Локальная сеть ИБК СПбПУ Все Прочитать
Интернет Авторизованные пользователи Прочитать
-> Интернет Анонимные пользователи

Статистика использования

stat Количество обращений: 0
За последние 30 дней: 0
Подробная статистика