С 17 марта 2020 г. для ресурсов (учебные, научные, материалы конференций, статьи из периодических изданий, авторефераты диссертаций, диссертации) ЭБ СПбПУ, обеспечивающих образовательный процесс, установлен особый режим использования. Обращаем внимание, что ВКР/НД не относятся к этой категории.

Details

Title: Получение гетероструктур на основе квантовых ям методом молекулярно-лучевой эпитаксии: магистерская диссертация: 22.04.01
Creators: Чапалда Евгения Николаевна
Scientific adviser: Коган И. В.
Organization: Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт металлургии, машиностроения и транспорта
Imprint: Санкт-Петербург, 2016
Collection: Выпускные квалификационные работы; Общая коллекция
Subjects: Инфракрасные лучи — Приемники; Полупроводниковые пленки — Получение; фотоприемники; молекулярно-лучевая эпитаксия; photodetectors; molecular beam epitaxy
UDC: 539.23:621.315.592(043.3); 681.7.069.33(043.3)
Document type: Master graduation qualification work
File type: PDF
Language: Russian
Speciality code (FGOS): 22.04.01
Speciality group (FGOS): 220000 - Технологии материалов
DOI: 10.18720/SPBPU/2/v16-3042
Rights: Свободный доступ из сети Интернет (чтение, печать, копирование)

Allowed Actions:

Action 'Read' will be available if you login or access site from another network Action 'Download' will be available if you login or access site from another network

Group: Anonymous

Network: Internet

Annotation

Получены инфракрасные фотоприемники на основе квантовых ям (QWIP) с чувствительностью в средневолновом ИК диапазоне (3 - 5 мкм). Использовалась система InGaAs/AlGaAs. Рост проводился методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Оптимизацией параметров роста была достигнута фоточувствительность в заданном спектральном диапазоне и приемлемая токовая чувствительность.

Quantum wells infrared photodetectors (QWIP) with a sensitivity in the medium infrared range (3 - 5 microns) was obtained. We used the InGaAs / AlGaAs system. The growth was carried out by molecular beam epitaxy. Optimization of the growth parameters of photosensitivity was achieved in a given spectral range and an acceptable current sensitivity.

Document access rights

Network User group Action
ILC SPbPU Local Network All Read Print Download
Internet Authorized users Read Print Download
-> Internet Anonymous

Usage statistics

stat Access count: 796
Last 30 days: 0
Detailed usage statistics