С 17 марта 2020 г. для ресурсов (учебные, научные, материалы конференций, статьи из периодических изданий, авторефераты диссертаций, диссертации) ЭБ СПбПУ, обеспечивающих образовательный процесс, установлен особый режим использования. Обращаем внимание, что ВКР/НД не относятся к этой категории.

Детальная информация

Название: Получение гетероструктур на основе квантовых ям методом молекулярно-лучевой эпитаксии: магистерская диссертация: 22.04.01
Авторы: Чапалда Евгения Николаевна
Научный руководитель: Коган И. В.
Организация: Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт металлургии, машиностроения и транспорта
Выходные сведения: Санкт-Петербург, 2016
Коллекция: Выпускные квалификационные работы; Общая коллекция
Тематика: Инфракрасные лучи — Приемники; Полупроводниковые пленки — Получение; фотоприемники; молекулярно-лучевая эпитаксия; photodetectors; molecular beam epitaxy
УДК: 539.23:621.315.592(043.3); 681.7.069.33(043.3)
Тип документа: Выпускная квалификационная работа магистра
Тип файла: PDF
Язык: Русский
Код специальности ФГОС: 22.04.01
Группа специальностей ФГОС: 220000 - Технологии материалов
DOI: 10.18720/SPBPU/2/v16-3042
Права доступа: Свободный доступ из сети Интернет (чтение, печать, копирование)

Разрешенные действия:

Действие 'Прочитать' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети Действие 'Загрузить' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети

Группа: Анонимные пользователи

Сеть: Интернет

Аннотация

Получены инфракрасные фотоприемники на основе квантовых ям (QWIP) с чувствительностью в средневолновом ИК диапазоне (3 - 5 мкм). Использовалась система InGaAs/AlGaAs. Рост проводился методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Оптимизацией параметров роста была достигнута фоточувствительность в заданном спектральном диапазоне и приемлемая токовая чувствительность.

Quantum wells infrared photodetectors (QWIP) with a sensitivity in the medium infrared range (3 - 5 microns) was obtained. We used the InGaAs / AlGaAs system. The growth was carried out by molecular beam epitaxy. Optimization of the growth parameters of photosensitivity was achieved in a given spectral range and an acceptable current sensitivity.

Права на использование объекта хранения

Место доступа Группа пользователей Действие
Локальная сеть ИБК СПбПУ Все Прочитать Печать Загрузить
Интернет Авторизованные пользователи Прочитать Печать Загрузить
-> Интернет Анонимные пользователи

Статистика использования документа

stat Количество обращений: 796
За последние 30 дней: 0
Подробная статистика