Исследовано влияние продольного электрического поля на спектры поглощения света среднего инфракрасного диапазона и на спектры межзонной фотолюминесценции в двойных туннельно-связанных квантовых ямах GaAs/AlGaAs. Модуляция межподзонного поглощения и межзонной фотолюминесценции полем связаны с перераспределением горячих электронов между подзонами узкой и широкой ям, а также изменением объемного заряда в структуре. Анализ спектров модуляции поглощения и фотолюминесценции в сильных продольных электрических полях позволил оценить температуру горячих носителей заряда.

The influence of the lateral electric field on the mid-infrared intersubband light absorption and interband photoluminescence in double tunnel-coupled GaAs/AlGaAs quantum wells was investigated. Intersubband absorption modulation and interband photoluminescence modulation are associated with electron redistribution between subbands of narrow and wide quantum wells and space charge variation in the structure. Analysis of the absorption and photoluminescence modulation spectra under high lateral electric field was allowed to estimate hot carrier temperature.