С 17 марта 2020 г. для ресурсов (учебные, научные, материалы конференций, статьи из периодических изданий, авторефераты диссертаций, диссертации) ЭБ СПбПУ, обеспечивающих образовательный процесс, установлен особый режим использования. Обращаем внимание, что ВКР/НД не относятся к этой категории.

Details

Title: Исследование оптических свойств туннельно-связанных квантовых ям GaAs/AlGaAs в продольных электрических полях: бакалаврская работа: 16.03.01
Creators: Шумилов Александр Алексеевич
Scientific adviser: Винниченко Максим Яковлевич
Organization: Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций
Imprint: Санкт-Петербург, 2016
Collection: Выпускные квалификационные работы; Общая коллекция
Subjects: электрические поля; фотолюминесценция; инфракрасный диапазон спектра
Document type: Bachelor graduation qualification work
File type: PDF
Language: Russian
Speciality code (FGOS): 16.03.01
Speciality group (FGOS): 160000 - Физико-технические науки и технологии
DOI: 10.18720/SPBPU/2/v16-357
Rights: Свободный доступ из сети Интернет (чтение, печать, копирование)

Allowed Actions:

Action 'Read' will be available if you login or access site from another network Action 'Download' will be available if you login or access site from another network

Group: Anonymous

Network: Internet

Annotation

Исследовано влияние продольного электрического поля на спектры поглощения света среднего инфракрасного диапазона и на спектры межзонной фотолюминесценции в двойных туннельно-связанных квантовых ямах GaAs/AlGaAs. Модуляция межподзонного поглощения и межзонной фотолюминесценции полем связаны с перераспределением горячих электронов между подзонами узкой и широкой ям, а также изменением объемного заряда в структуре. Анализ спектров модуляции поглощения и фотолюминесценции в сильных продольных электрических полях позволил оценить температуру горячих носителей заряда.

The influence of the lateral electric field on the mid-infrared intersubband light absorption and interband photoluminescence in double tunnel-coupled GaAs/AlGaAs quantum wells was investigated. Intersubband absorption modulation and interband photoluminescence modulation are associated with electron redistribution between subbands of narrow and wide quantum wells and space charge variation in the structure. Analysis of the absorption and photoluminescence modulation spectra under high lateral electric field was allowed to estimate hot carrier temperature.

Document access rights

Network User group Action
ILC SPbPU Local Network All Read Print Download
Internet Authorized users Read Print Download
-> Internet Anonymous

Usage statistics

stat Access count: 638
Last 30 days: 1
Detailed usage statistics