Детальная информация

Название: Исследование оптических свойств туннельно-связанных квантовых ям GaAs/AlGaAs в продольных электрических полях: бакалаврская работа: 16.03.01
Авторы: Шумилов Александр Алексеевич
Научный руководитель: Винниченко Максим Яковлевич
Организация: Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций
Выходные сведения: Санкт-Петербург, 2016
Коллекция: Выпускные квалификационные работы; Общая коллекция
Тематика: электрические поля; фотолюминесценция; инфракрасный диапазон спектра
Тип документа: Выпускная квалификационная работа бакалавра
Тип файла: PDF
Язык: Русский
Уровень высшего образования: Бакалавриат
Код специальности ФГОС: 16.03.01
Группа специальностей ФГОС: 160000 - Физико-технические науки и технологии
DOI: 10.18720/SPBPU/2/v16-357
Права доступа: Доступ по паролю из сети Интернет (чтение, печать, копирование)
Ключ записи: RU\SPSTU\edoc\32148

Разрешенные действия:

Действие 'Прочитать' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети Действие 'Загрузить' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети

Группа: Анонимные пользователи

Сеть: Интернет

Аннотация

Исследовано влияние продольного электрического поля на спектры поглощения света среднего инфракрасного диапазона и на спектры межзонной фотолюминесценции в двойных туннельно-связанных квантовых ямах GaAs/AlGaAs. Модуляция межподзонного поглощения и межзонной фотолюминесценции полем связаны с перераспределением горячих электронов между подзонами узкой и широкой ям, а также изменением объемного заряда в структуре. Анализ спектров модуляции поглощения и фотолюминесценции в сильных продольных электрических полях позволил оценить температуру горячих носителей заряда.

The influence of the lateral electric field on the mid-infrared intersubband light absorption and interband photoluminescence in double tunnel-coupled GaAs/AlGaAs quantum wells was investigated. Intersubband absorption modulation and interband photoluminescence modulation are associated with electron redistribution between subbands of narrow and wide quantum wells and space charge variation in the structure. Analysis of the absorption and photoluminescence modulation spectra under high lateral electric field was allowed to estimate hot carrier temperature.

Права на использование объекта хранения

Место доступа Группа пользователей Действие
Локальная сеть ИБК СПбПУ Все Прочитать Печать Загрузить
Внешние организации №2 Все Прочитать
Внешние организации №1 Все
Интернет Авторизованные пользователи СПбПУ Прочитать Печать Загрузить
Интернет Авторизованные пользователи (не СПбПУ, №2) Прочитать
Интернет Авторизованные пользователи (не СПбПУ, №1)
-> Интернет Анонимные пользователи

Статистика использования

stat Количество обращений: 651
За последние 30 дней: 0
Подробная статистика