С 17 марта 2020 г. для образовательных ресурсов Электронной библиотеки СПбПУ установлен особый режим их использования

Details

Title: Особенности формирования мод в полупроводниковых лазерах с широким оптическим волноводом: бакалаврская работа: 11.03.04
Creators: Серин Артем Александрович
Scientific adviser: Паюсов Алексей Сергеевич
Organization: Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций
Imprint: Санкт-Петербург, 2016
Collection: Выпускные квалификационные работы; Общая коллекция
Subjects: полупроводниковые лазеры; оптические волноводы; semiconductor lasers; optical waveguides
Document type: Bachelor graduation qualification work
File type: PDF
Language: Russian
Speciality code (FGOS): 11.03.04
Speciality group (FGOS): 110000 - Электроника, радиотехника и системы связи
DOI: 10.18720/SPBPU/2/v16-360
Rights: Свободный доступ из сети Интернет (чтение, печать)

Allowed Actions:

Action 'Read' will be available if you login or access site from another network

Group: Anonymous

Network: Internet

Annotation

Работа посвящена исследованию особенностей формирования оптических мод в полупроводниковых лазерных диодах с широким оптическим волноводом. Рассматривается простая модель поглощения на неравновесных носителях, позволяющая объяснить переключение лазерной генерации с возбужденной на фундаментальную моду при росте плотности тока или температуры в торцевых лазерах с широким оптическим волноводом. Приведены экспериментальные данные, которые находятся в согласии с моделью. Результаты работы показывают, что поглощение на свободных носителях оказывает существенное влияние на формирование оптических мод в широких волноводах мощных торцевых лазеров.

The thesis discusses mode forming in large optical waveguides of semiconductor laser diodes. Simple model of free carrier absorption is considered to clarify lasing switch from high-order to fundamental mode in large optical cavity of edge emitting diode with current or temperature increase. Experimental data are shown to be in agreement with the model. Results show that free carrier absorption has significant impact on mode forming in large optical cavities of high power laser diodes.

Document access rights

Network User group Action
ILC SPbPU Local Network All Read Print
Internet Authorized users Read Print
-> Internet Anonymous

Table of Contents

  • Список сокращений
  • Введение
  • 1 Обзор литературы
    • 1.1 Принципы работы и устройство современных торцевых полупроводниковых лазеров
    • 1.2 Факторы ограничивающие мощность современных полупроводниковых лазеров
    • 1.3 Обзор способов подавления паразитных мод высокого порядка в широких и свершироких волноводах.
      • 1.3.1 Оптическая ловушка
      • 1.3.2 Вывод излучения через подложку
      • 1.3.3Лазер с туннельно-связанными волноводами
      • 1.3.4 Волновод с асимметричным расположением активной области
      • 1.3.5 Асимметричный волновод
      • 1.3.6 Дифракционный фильтр оптических мод
      • 1.3.7 Лазер с волноводом оптически связанным с пассивной частью лазерной структуры.
      • 1.3.8 Лазер на основе сверхширокого волновода
  • 2 Основная часть
    • 2.1 Обсуждение теории
    • 2.2 Экспериментальная часть
      • 2.2.1 Образцы, монтаж
      • 2.2.2 Установка измерения дальнего поля
      • 2.2.3 Анализ полученных экспериментальных данных
  • Заключение
  • Списокиспользованых источников

Document usage statistics

stat Document access count: 123
Last 30 days: 2
Detailed usage statistics