С 17 марта 2020 г. для ресурсов (учебные, научные, материалы конференций, статьи из периодических изданий, авторефераты диссертаций, диссертации) ЭБ СПбПУ, обеспечивающих образовательный процесс, установлен особый режим использования. Обращаем внимание, что ВКР/НД не относятся к этой категории.

Детальная информация

Название: Отделение от подложек сапфира тонких плёнок GaN, выращенных методом HVPE: магистерская диссертация: 11.04.04
Авторы: Пинчук Антон Васильевич
Научный руководитель: Шретер Юрий Георгиевич
Организация: Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций
Выходные сведения: Санкт-Петербург, 2016
Коллекция: Выпускные квалификационные работы; Общая коллекция
Тематика: Полупроводниковые структуры; Полупроводниковые пленки — Получение; Галлий, нитриды; Генераторы квантовые — Применение
УДК: 539.23(043.3); 537.311.322(043.3); 621.373.8(043.3)
Тип документа: Выпускная квалификационная работа магистра
Тип файла: PDF
Язык: Русский
Код специальности ФГОС: 11.04.04
Группа специальностей ФГОС: 110000 - Электроника, радиотехника и системы связи
DOI: 10.18720/SPBPU/2/v16-369
Права доступа: Свободный доступ из сети Интернет (чтение, печать, копирование)

Разрешенные действия:

Действие 'Прочитать' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети Действие 'Загрузить' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети

Группа: Анонимные пользователи

Сеть: Интернет

Аннотация

В современной микроэлектронике уделяется немало внимания особенностям роста различных полупроводниковых гетероструктур. Немаловажным является изучение способов обработки полученных материалов после завершения всех технологических процессов роста, а также отделение полученных образцов от ростовых подложек. В настоящее время известно немало способов отделения полупроводниковых структур от ростовых подложек, на которых они были выращены. В данной работе будет рассмотрен метод лазерного отделения плёнок GaN от подложки сапфира путём обстрела импульсным CO2-лазером со стороны поверхности плёнки и дальнейшего "приклеивания" образца облученной стороной к временной подложке и отделения от ростовой подложки. Будут рассмотрены основные нюансы и преимущества данного метода по сравнению с ранее изученными методами такими как химическое отделение и «умный рез». Основным критериям сравнения было качество отделяемой плёнки GaN.

In modern microelectronics paid much attention to the peculiarities of the growth of different semiconductor heterostructures. It is also important to study ways of processing the submissions received after the completion of all the processes of growth, as well as the separation of the samples from the growth substrate. At the present time we know many ways to separation of semiconductor substrates on which they were grown. In this work we'll consider a method of laser lift-off of GaN films on sapphire substrates by pulsed CO2-laser from the film surface and further "gluing" of the sample exposed to the side of the temporary substrate and separated from the growth substrate. Basic nuances and advantages will be considered this method as compared to the previously studied methods such as chemical lift-off and the "smart cut". The most basic comparison criteria was the quality detachable film of GaN.

Права на использование объекта хранения

Место доступа Группа пользователей Действие
Локальная сеть ИБК СПбПУ Все Прочитать Печать Загрузить
Интернет Авторизованные пользователи Прочитать Печать Загрузить
-> Интернет Анонимные пользователи

Статистика использования

stat Количество обращений: 1560
За последние 30 дней: 0
Подробная статистика