Проведены спектральные измерения дислокационной люминесценции образцов кремния n-типа проводимости, облучённого электронами. Обнаружено шесть центров люминесценции и получены значения длин волн люминесценции, соответствующих этим центрам. Создана экспериментальная установка для измерения кинетики люминесценции. Проведены предварительные измерения и проанализированы несколькими способами их результаты. Получены значения сечения возбуждения и постоянной времени.

Spectral measurements of the dislocation luminescence from samples of n-type silicon irradiated by electrons were made. Discovered six centers of luminescence and the values of the wavelengths of luminescence corresponding to these centers. Was established apparatus for measuring luminescence kinetics. Preliminary measurements were taken with subsequent analysis of their results in several ways. The first values of cross section of excitation and time constant were obtained.