Представлены результаты исследования фотолюминесценции в терагерцовом и в ближнем инфракрасном диапазонах в структурах с квантовыми ямами GaAs/AlGaAsс акцепторной примесью бериллия. В спектре терагерцовой фотолюминесценции КЯ впервые была обнаружена полоса излучения, связанная с переходами неравновесных дырок из первой подзоны тяжелых дырок на примесные уровни, а также с внутрицентровыми переходами. Кроме того, была исследована поляризационная зависимость спектра терагерцового излучения фотолюминесценции.