Представлены результаты исследований межзонной и терагерцовой примесной фотолюминесценции наноструктур с квантовыми ямами GaAs/AlGaAs, легированными донорной примесью кремния, с волноводом и резонатором, а также без волновода. В спектрах межзонной фотолюминесценции были обнаружены пики излучения, связанные с рекомбинацией неравновесных электронов и дырок через донорные примесные состояния в квантовых ямах. В спектрах терагерцового излучения наблюдаются пики, связанные с переходами электронов из основной электронной подзоны на основное состояние донора, а также с внутрицентровыми переходами.