Ганбарова, Татьяна Шахиновна. Электрофизические свойства метаморфных структур с КЯ InAs/In₀.₇₅Ga₀.₂₅As/In₀.₇₅Al₀.₂₅As, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии [Электронный ресурс]: магистерская диссертация: 16.04.01 / Т. Ш. Ганбарова; Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций ; науч. рук. С. А. Рыков, Т. А. Комиссарова. — Электрон. текстовые дан. (1 файл : 2,26 МБ). — Санкт-Петербург, 2017. — Загл. с титул. экрана. — Доступ по паролю из сети Интернет (чтение, печать, копирование). — Adobe Acrobat Reader 7.0. — <URL:http://elib.spbstu.ru/dl/2/v17-2768.pdf>. — <URL:http://doi.org/10.18720/SPBPU/2/v17-2768>.