Детальная информация
| Название | Исследование источников низкочастотного шума в СВЧ-усилителях на GaAs-полевых транзисторах и GaN-гетеротранзисторах: магистерская диссертация: 11.04.01 |
|---|---|
| Авторы | Чернова Анастасия Сергеевна |
| Научный руководитель | Усыченко Виктор Георгиевич |
| Организация | Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций |
| Выходные сведения | Санкт-Петербург, 2017 |
| Коллекция | Выпускные квалификационные работы ; Общая коллекция |
| Тематика | Усилители сверхвысоких частот ; Полупроводниковые приборы — Флуктуации ; Полупроводниковые приборы — Шумы |
| УДК | 621.382.323(043.3) ; 621.391.822.3(043.3) ; 621.375.1.029.6(043.3) |
| Тип документа | Выпускная квалификационная работа магистра |
| Тип файла | |
| Язык | Русский |
| Уровень высшего образования | Магистратура |
| Код специальности ФГОС | 11.04.01 |
| Группа специальностей ФГОС | 110000 - Электроника, радиотехника и системы связи |
| DOI | 10.18720/SPBPU/2/v17-2791 |
| Права доступа | Доступ по паролю из сети Интернет (чтение, печать, копирование) |
| Ключ записи | RU\SPSTU\edoc\41062 |
| Дата создания записи | 20.09.2017 |
Разрешенные действия
–
Действие 'Прочитать' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети
Действие 'Загрузить' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети
| Группа | Анонимные пользователи |
|---|---|
| Сеть | Интернет |
Изучаются флуктуации фазы и амплитуды в СВЧ-усилителях на GaAs-полевых транзисторах и GaN-гетеротранзисторах, а также источники низкочастотного шума, порождающие эти флуктуации. Обнаружен и объяснен эффект увеличения фазовых шумов на 10 дБ в режиме насыщения мощности. Построена модель низкочастотного шума в гетеротранзисторах с высокой подвижностью электронов. Установлены два основных источника НЧ-шума: флуктуации подвижности электронов в канале и флуктуации заряда в подзатворной области. Определены режимы работы транзистора, в которых указанные источники проявляются с наибольшим весом. Предложена модель НЧ-флуктуаций подвижности электронов, объясняющая фликкерный вид их спектров. Теоретические выводы в основном подтверждены экспериментом.
| Место доступа | Группа пользователей | Действие |
|---|---|---|
| Локальная сеть ИБК СПбПУ | Все |
|
| Интернет | Авторизованные пользователи СПбПУ |
|
| Интернет | Анонимные пользователи |
|
Количество обращений: 536
За последние 30 дней: 0
