?
С 17 марта 2020 г. для ресурсов (учебные, научные, материалы конференций, статьи из периодических изданий, авторефераты диссертаций, диссертации) ЭБ СПбПУ, обеспечивающих образовательный процесс, установлен особый режим использования. Обращаем внимание, что ВКР/НД не относятся к этой категории.

Детальная информация
Таблица Карточка RUSMARC
Название: Исследование источников низкочастотного шума в СВЧ-усилителях на GaAs-полевых транзисторах и GaN-гетеротранзисторах: магистерская диссертация: 11.04.01
Авторы: Чернова Анастасия Сергеевна
Научный руководитель: Усыченко Виктор Георгиевич
Организация: Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций
Выходные сведения: Санкт-Петербург, 2017
Коллекция: Выпускные квалификационные работы; Общая коллекция
Тематика: Усилители сверхвысоких частот; Полупроводниковые приборы — Флуктуации; Полупроводниковые приборы — Шумы
УДК: 621.382.323(043.3); 621.391.822.3(043.3); 621.375.1.029.6(043.3)
Тип документа: Выпускная квалификационная работа магистра
Тип файла: PDF
Язык: Русский
Код специальности ФГОС: 11.04.01
Группа специальностей ФГОС: 110000 - Электроника, радиотехника и системы связи
DOI: 10.18720/SPBPU/2/v17-2791
Права доступа: Свободный доступ из сети Интернет (чтение, печать, копирование)

Разрешенные действия: –

Действие 'Прочитать' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети Действие 'Загрузить' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети

Группа: Анонимные пользователи

Сеть: Интернет

Аннотация

Изучаются флуктуации фазы и амплитуды в СВЧ-усилителях на GaAs-полевых транзисторах и GaN-гетеротранзисторах, а также источники низкочастотного шума, порождающие эти флуктуации. Обнаружен и объяснен эффект увеличения фазовых шумов на 10 дБ в режиме насыщения мощности. Построена модель низкочастотного шума в гетеротранзисторах с высокой подвижностью электронов. Установлены два основных источника НЧ-шума: флуктуации подвижности электронов в канале и флуктуации заряда в подзатворной области. Определены режимы работы транзистора, в которых указанные источники проявляются с наибольшим весом. Предложена модель НЧ-флуктуаций подвижности электронов, объясняющая фликкерный вид их спектров. Теоретические выводы в основном подтверждены экспериментом.

Права на использование объекта хранения

Место доступа Группа пользователей Действие
Локальная сеть ИБК СПбПУ Все Прочитать Печать Загрузить
Интернет Авторизованные пользователи Прочитать Печать Загрузить
-> Интернет Анонимные пользователи

Статистика использования документа

stat Количество обращений: 0
За последние 30 дней: 0
Подробная статистика