?

Детальная информация
Таблица Карточка RUSMARC
Название: Изучение дефектов SiC имплантированного высокоэнергетическими ионами висмута: магистерская диссертация: 11.04.04
Авторы: Школдин Виталий Алексеевич
Научный руководитель: Шустов Д. Б.; Карасев Платон Александрович
Организация: Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций
Выходные сведения: Санкт-Петербург, 2017
Коллекция: Выпускные квалификационные работы; Общая коллекция
Тематика: Катодолюминесценция; Кремний, карбиды; Висмут; Ионы; ионная имплантация; дефектообразования
УДК: 535.376(043.3); 537.534.1/.8:669.76(043.3)
Тип документа: Выпускная квалификационная работа магистра
Тип файла: PDF
Язык: Русский
Уровень высшего образования: Магистратура
Код специальности ФГОС: 11.04.04
Группа специальностей ФГОС: 110000 - Электроника, радиотехника и системы связи
DOI: 10.18720/SPBPU/2/v17-3102
Права доступа: Доступ по паролю из сети Интернет (чтение, печать, копирование)
Ключ записи: RU\SPSTU\edoc\44784

Разрешенные действия: –

Действие 'Прочитать' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети Действие 'Загрузить' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети

Группа: Анонимные пользователи

Сеть: Интернет

Аннотация

Методом локальной катодолюминесценции был изучен результат воздействия имплантации ионов висмута с энергией 710 МэВ на карбид кремния. Был получен глубинный профиль распределения радиационных дефектов. На основании экспериментальных данных и моделирования воздействия имплантации, было установлено, что глубина образования радиационных дефектов превышает глубину проникновения ионов висмута.

Права на использование объекта хранения

Место доступа Группа пользователей Действие
Локальная сеть ИБК СПбПУ Все Прочитать Печать Загрузить
Интернет Авторизованные пользователи СПбПУ Прочитать Печать Загрузить
-> Интернет Анонимные пользователи

Оглавление

  • Сокращения
  • Введение
  • Литературный обзор
    • Карбид Кремния
      • Основные свойства и характеристики SiC
      • Кристаллическая структура и политипизм карбида кремния
      • Примеси в карбиде кремния
      • Глубокие центры в карбиде кремния
    • Катодолюминесценция
      • Взаимодействие электронного пучка с образцом
    • Особенности катодолюминесценции
    • Катодолюминесценция карбида кремния
    • Ионная имплантация
      • Отжиг ионно-легированных слоёв
      • Моделирование имплантации
  • Задача дипломной работы
  • Эксперимент
    • Установка
    • Образцы
    • Методика эксперимента
  • Результаты и обсуждение
    • Моделирование имплантации
    • Сопоставление результатов измерений и моделирования
  • Литература

Статистика использования

stat Количество обращений: 609
За последние 30 дней: 0
Подробная статистика