Работа посвящена исследованию электрофизических и структурных характеристик эпитаксиальных гетеростурктур AlGaAs/InGaAs/GaAs для создания мощных полупроводниковых лазеров. В работе приведен аналитический обзор литературных данных, изучены концентрации и подвижности основных носителей заряда в приконтактных эпитаксиальных слоях методом Холла, проведен качественный и количественный анализ кривых дифракционного отражения, полученных методом рентгеновской дифрактометрии, проведен количественный рентгеноспектральный микроанализ, получены и описаны химические спектры методом рентгеновской энергодисперсионной спектроскопии в просвечивающем электронном микроскопе.