Details

Title: Исследование морфологии и профиля травления сквозных отверстий в подложке карбида кремния в технологии мощных транзисторов на основе гетероструктур AlGaN/GaN/SiC: магистерская диссертация: 22.04.01
Creators: Каракчиев Сергей Валерьевич
Scientific adviser: Соловьев Юрий Владимирович
Organization: Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт металлургии, машиностроения и транспорта
Imprint: Санкт-Петербург, 2017
Collection: Выпускные квалификационные работы; Общая коллекция
Subjects: Кремний, карбиды; Травление металлов; Полупроводниковые приборы сверхвысокочастотные; транзисторы
UDC: 621.794.4(043.3)
Document type: Master graduation qualification work
File type: PDF
Language: Russian
Speciality code (FGOS): 22.04.01
Speciality group (FGOS): 220000 - Технологии материалов
DOI: 10.18720/SPBPU/2/v17-3424
Rights: Доступ по паролю из сети Интернет (чтение, печать, копирование)

Allowed Actions:

Action 'Read' will be available if you login or access site from another network Action 'Download' will be available if you login or access site from another network

Group: Anonymous

Network: Internet

Annotation

Проведено исследование процесса травления карбида кремния (SiC) и выявление основных проблем. Разработана методика исследования морфологии и профиля травления сквозных отверстий в подложке SiC в технологии мощных СВЧ транзисторов на основе гетероструктур AlGaN/GaN/SiC. При исследовании были применены методы рентгенофазового анализа, энергодисперсной рентгеновской спектроскопии, рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии и анализа на атомно силовом микроскопе. Было выявлено, что на поверхности образовывается пассивирующая пленка FxNiy, а также, что процесс травления в среде Ar улучшает морфологию поверхности.

Document access rights

Network User group Action
ILC SPbPU Local Network All Read Print Download
Internet Authorized users SPbPU Read Print Download
Internet Authorized users (not from SPbPU)
-> Internet Anonymous

Usage statistics

stat Access count: 64
Last 30 days: 0
Detailed usage statistics