Таблица | Карточка | RUSMARC | |
Разрешенные действия: –
Действие 'Прочитать' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети
Действие 'Загрузить' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети
Группа: Анонимные пользователи Сеть: Интернет |
Аннотация
Проведено исследование методов формирования профиля маски фоторезистивных слоев, применяемой в технологии «взрывной» литографии. Осуществлена разработка технологии формирования фоторезистивной маски методом контактной фотолитографии для создания омических контактов СВЧ-транзисторов на основе эпитаксиальных гетероструктур AlGaAs/GaAs. Использовались маски ФП 4-04 мВ и LOR 5B/ФП 4-04 мВ. Нанесение резистов осуществлялось центрифугированием, экспонирование проводилось на установке контактной фотолитографии ЭМ 5026 М с использованием темнопольного хромового шаблона.
Права на использование объекта хранения
Место доступа | Группа пользователей | Действие | ||||
---|---|---|---|---|---|---|
Локальная сеть ИБК СПбПУ | Все | |||||
Интернет | Авторизованные пользователи СПбПУ | |||||
Интернет | Анонимные пользователи |
Статистика использования
Количество обращений: 1251
За последние 30 дней: 0 Подробная статистика |