В этой работе были изучены свойства основного состояния многоэкситоннго комплекса, локализованного в наноразмерной полупроводниковой квантовой точке (КТ). Расчеты были выполнены с использованием апроксимации огибающей функции для перемещения электронов и дырок в КТ. Квантово-механическая обработка электронно-дырочного перехода была осуществлена в рамках теории функционала плотности. Были проанализированы зависимости энергии основного состояния от радиуса КТ, номер электронно-дырочных пар, диэлектрическая функция КТ и эффективные массы электронов и дырок. Анализ показал, что когда многоэкситонный комплекс сильно локализован в пределах КТ, то его дискретная энергия связи такая же, как и энергия связи изолированного экситона в объемном полупроводнике. При этом физические свойства системы определяются единственным параметром: отношением КТ к радиусам свободного экситона.