Объектом исследования являются образцы GaAs с квантовыми точками и с напыленными частицами серебра на их поверхность. Были исследованы спектры поглощения, пропускания и рассеяния света от образцов. Также была написана программа, позволяющая рассчитывать спектры отражения от полупроводниковых образцов с металлическими частицами на поверхности. Был проведен расчет пиков рассеяния. Результаты расчета сравнивались с экспериментальными данными. Было получено качественное согласие результатов расчета с экспериментом.