Таблица | Карточка | RUSMARC | |
Разрешенные действия: –
Действие 'Прочитать' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети
Действие 'Загрузить' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети
Группа: Анонимные пользователи Сеть: Интернет |
Аннотация
В работе исследуются изменения оптических свойств полупроводниковых квантовых точек (ПКТ) InAs захороненных в GaAs (001) в присутствии металлических наночастиц. В первой части работы исследуются ПКТ, заращенные слоем GaAs, выращенного при низкой температуре. Прямое заращивание привело к формированию дислокаций несоответствия, в следствие чего интенсивность фотолюминесценции снизилась на три порядка. В присутствие разделительного слоя GaAs между ПКТ и низкотемпературным GaAs привело к усилению интенсивности ФЛ в два раза относительно образца без разделительного слоя. В то же время спектр ФЛ сместился в область низких энергий. Эти изменения были качественно и количественно описаны туннелированием электронов из ПКТ через GaAs в слой LT-GaAs. Использование разделительного слоя AlAs вместо GaAs сделало барьер туннельно-непрозрачным. В результате форма спектра ФЛ и его интенсивность приблизились к параметрам спектра ФЛ референтного образца без слоя LT-GaAs.
Права на использование объекта хранения
Место доступа | Группа пользователей | Действие | ||||
---|---|---|---|---|---|---|
Локальная сеть ИБК СПбПУ | Все | |||||
Интернет | Авторизованные пользователи СПбПУ | |||||
Интернет | Анонимные пользователи |
Статистика использования
Количество обращений: 294
За последние 30 дней: 0 Подробная статистика |