?

Details
Table Card RUSMARC
Title: Пассивация поверхности высокочастотных PIN-диодов оксидом алюминия, нанесенным методом атомно-слоевого осаждения: бакалаврская работа: 11.03.04
Creators: Третьяков Артем Александрович
Scientific adviser: Капралова Виктория Маратовна
Organization: Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций
Imprint: Санкт-Петербург, 2017
Collection: Выпускные квалификационные работы; Общая коллекция
Subjects: Диоды полупроводниковые; Осаждение (хим. ); Алюминий — Оксидирование; атомно-слоевое осаждение; pin-диоды; вольтамперная характеристика; токи утечки
Document type: Bachelor graduation qualification work
File type: PDF
Language: Russian
Level of education: Bachelor
Speciality code (FGOS): 11.03.04
Speciality group (FGOS): 110000 - Электроника, радиотехника и системы связи
DOI: 10.18720/SPBPU/2/v17-4861
Rights: Доступ по паролю из сети Интернет (чтение, печать, копирование)
Record key: RU\SPSTU\edoc\45738

Allowed Actions: –

Action 'Read' will be available if you login or access site from another network Action 'Download' will be available if you login or access site from another network

Group: Anonymous

Network: Internet

Annotation

Работа посвящена изучению влияния пассивации PIN-диодов оксидом алюминия, нанесенным с помощью метода атомно-слоевого осаждения, на их параметры. В ходе работы получены прямые и обратные ветви вольтамперных характеристик отдельных PIN-диодов. Установлено пороговое напряжение проводимости для PIN-диодов. Проведен сравнительный анализ обратных ветвей вольтамперной характеристики, показана эффективность пассивации PIN-диодов оксидом алюминия, нанесенным с помощью метода атомно-слоевого осаждения, для минимизации токов утечки.

Document access rights

Network User group Action
ILC SPbPU Local Network All Read Print Download
Internet Authorized users SPbPU Read Print Download
-> Internet Anonymous

Usage statistics

stat Access count: 113
Last 30 days: 0
Detailed usage statistics