Детальная информация
Название | Исследование влияния предлучевой подготовки на качество планирования в лучевой терапии: бакалаврская работа: 03.03.02 |
---|---|
Авторы | Стороженко Любовь Александровна |
Научный руководитель | Червяков Александр Михайлович |
Организация | Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций |
Выходные сведения | Санкт-Петербург, 2017 |
Коллекция | Выпускные квалификационные работы; Общая коллекция |
Тематика | предлучевая подготовка; лучевая терапия; КТ-симулятор; КТ-кривая; числа Хаунсфилда |
Тип документа | Выпускная квалификационная работа бакалавра |
Тип файла | |
Язык | Русский |
Уровень высшего образования | Бакалавриат |
Код специальности ФГОС | 03.03.02 |
Группа специальностей ФГОС | 030000 - Физика и астрономия |
DOI | 10.18720/SPBPU/2/v17-6447 |
Права доступа | Доступ по паролю из сети Интернет (чтение, печать, копирование) |
Ключ записи | RU\SPSTU\edoc\48317 |
Дата создания записи | 14.11.2017 |
Разрешенные действия
–
Действие 'Прочитать' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети
Действие 'Загрузить' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети
Группа | Анонимные пользователи |
---|---|
Сеть | Интернет |
Настоящая работа относится к предлучевой подготовке как отдельного этапа лучевой терапии. Целью данной работы является исследование влияния предлучевой подготовки на качество планирования в лучевой терапии. Актуальность работы заключается в том, что хотя КТ-симуляторы используются в основном для диагностики заболеваний, для лучевой терапии важна правильная калибровка по КТ-кривой, однако на качество влияет фотоэффект. Проведен анализ отечественных и зарубежных источников для изучения темы предлучевой подготовки, лучевой терапии, КТ-симуляторов, взаимодействия излучения с веществом. На КТ-симуляторе проведена серия сканирований фантома в трех различных режимах. На основании полученных изображений на системе планирования получены соответствия чисел Хаунсфилда электронным плотностям, указанным в сертификате на фантом. Построены КТ-кривые для трех различных режимов, а также стандартная кривая, используемая на системе планирования. Оценено наибольшее отклонение в электронных плотностях кривых относительно стандартной кривой численно и в процентах. Сделан вывод о необходимости учета режима при дозиметрическом планировании и калибровки на тяжелых элементах.
Место доступа | Группа пользователей | Действие |
---|---|---|
Локальная сеть ИБК СПбПУ | Все |
|
Интернет | Авторизованные пользователи СПбПУ |
|
Интернет | Анонимные пользователи |
|
Количество обращений: 61
За последние 30 дней: 0