Детальная информация

Название Исследование влияния предлучевой подготовки на качество планирования в лучевой терапии: бакалаврская работа: 03.03.02
Авторы Стороженко Любовь Александровна
Научный руководитель Червяков Александр Михайлович
Организация Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций
Выходные сведения Санкт-Петербург, 2017
Коллекция Выпускные квалификационные работы; Общая коллекция
Тематика предлучевая подготовка; лучевая терапия; КТ-симулятор; КТ-кривая; числа Хаунсфилда
Тип документа Выпускная квалификационная работа бакалавра
Тип файла PDF
Язык Русский
Уровень высшего образования Бакалавриат
Код специальности ФГОС 03.03.02
Группа специальностей ФГОС 030000 - Физика и астрономия
DOI 10.18720/SPBPU/2/v17-6447
Права доступа Доступ по паролю из сети Интернет (чтение, печать, копирование)
Ключ записи RU\SPSTU\edoc\48317
Дата создания записи 14.11.2017

Разрешенные действия

Действие 'Прочитать' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети

Действие 'Загрузить' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети

Группа Анонимные пользователи
Сеть Интернет

Настоящая работа относится к предлучевой подготовке как отдельного этапа лучевой терапии. Целью данной работы является исследование влияния предлучевой подготовки на качество планирования в лучевой терапии. Актуальность работы заключается в том, что хотя КТ-симуляторы используются в основном для диагностики заболеваний, для лучевой терапии важна правильная калибровка по КТ-кривой, однако на качество влияет фотоэффект. Проведен анализ отечественных и зарубежных источников для изучения темы предлучевой подготовки, лучевой терапии, КТ-симуляторов, взаимодействия излучения с веществом. На КТ-симуляторе проведена серия сканирований фантома в трех различных режимах. На основании полученных изображений на системе планирования получены соответствия чисел Хаунсфилда электронным плотностям, указанным в сертификате на фантом. Построены КТ-кривые для трех различных режимов, а также стандартная кривая, используемая на системе планирования. Оценено наибольшее отклонение в электронных плотностях кривых относительно стандартной кривой численно и в процентах. Сделан вывод о необходимости учета режима при дозиметрическом планировании и калибровки на тяжелых элементах.

Место доступа Группа пользователей Действие
Локальная сеть ИБК СПбПУ Все
Прочитать Печать Загрузить
Интернет Авторизованные пользователи СПбПУ
Прочитать Печать Загрузить
Интернет Анонимные пользователи

Количество обращений: 61 
За последние 30 дней: 0

Подробная статистика