Иванова, Мария Владимировна. Влияние направления эпитаксиального роста тонких антисегнетоэлектрических пленок на температурную зависимость их параметров порядка [Электронный ресурс]: выпускная квалификационная работа бакалавра: 16.03.01 - Техническая физика ; 16.03.01_05 - Физическая электроника / М. В. Иванова; Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций ; науч. рук. Р. Г. Бурковский. — Электрон. текстовые дан. (1 файл : 0,71 Мб). — Санкт-Петербург, 2018. — Загл. с титул. экрана. — Доступ по паролю из сети Интернет (чтение, печать, копирование). — Adobe Acrobat Reader 7.0. — <URL:http://elib.spbstu.ru/dl/2/v18-1082.pdf>. — <URL:http://doi.org/10.18720/SPBPU/2/v18-1082>. — <URL:http://elib.spbstu.ru/dl/2/rev/v18-1082-o.pdf>.