Работа посвящена исследованию температурных зависимостей диффузного рассеяния с целью определения микроскопических особенностей перестройки структуры SBN-x, приводящих к появлению релаксорного состояния. В практической части приводятся результаты анализа данных, полученных методом синхротронного излучения в диапазоне температур от 90 К до 370 К. В работе определены температурные зависимости интенсивностей диффузного рассеяния и коэффициентов α в температурных зависимостях вблизи узлов обратной решетки [332] и [412] в направлениях [001], [010], [110], из чего сделаны выводы о температурной эволюции границ областей локального упорядочения.