Детальная информация
| Название | Терагерцевая оптоэлектронная пара на основе кремниевого наносандвича: выпускная квалификационная работа магистра: 11.04.04 - Электроника и наноэлектроника ; 11.04.04_01 - Микроэлектроника и наноэлектроника |
|---|---|
| Авторы | Фомин Максим Андреевич |
| Научный руководитель | Баграев Николай Таймуразович |
| Организация | Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций |
| Выходные сведения | Санкт-Петербург, 2018 |
| Коллекция | Выпускные квалификационные работы ; Общая коллекция |
| Тематика | Кремний ; Наноструктурные материалы ; Электромагнитные волны — Излучение ; Оптоэлектроника |
| УДК | 537.87:621.383 |
| Тип документа | Выпускная квалификационная работа магистра |
| Тип файла | |
| Язык | Русский |
| Уровень высшего образования | Магистратура |
| Код специальности ФГОС | 11.04.04 |
| Группа специальностей ФГОС | 110000 - Электроника, радиотехника и системы связи |
| Ссылки | Отзыв руководителя ; Рецензия |
| DOI | 10.18720/SPBPU/2/v18-1792 |
| Права доступа | Доступ по паролю из сети Интернет (чтение, печать, копирование) |
| Ключ записи | RU\SPSTU\edoc\54068 |
| Дата создания записи | 18.10.2018 |
Разрешенные действия
–
Действие 'Прочитать' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети
Действие 'Загрузить' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети
| Группа | Анонимные пользователи |
|---|---|
| Сеть | Интернет |
Регистрируемые зависимости величины напряжения приемника, в качестве которого использовался кремниевый наносандвич, выполненный в рамках холловской геометрии, облученный идентичным наносандвичем, от времени позволяют наблюдать резонансный отклик, представляющий собой ступеньку Шапиро. Исследуя величину самой ступеньки, можно рассчитать как частоту внешнего электромагнитного излучения, источником которого выступает один из двух кремниевых наносандвичей, так и сетку сопротивлений, как на приемнике, так и на источнике СВЧ излучения. Резонансный отклик возникает в условиях туннельных переходов между сильнолегированными бором δ-барьерами ограничивающими краевые каналы сверхузкой кремниевой квантовой ямы, составляющей основу кремниевого наносандвича.
| Место доступа | Группа пользователей | Действие |
|---|---|---|
| Локальная сеть ИБК СПбПУ | Все |
|
| Интернет | Авторизованные пользователи СПбПУ |
|
| Интернет | Анонимные пользователи |
|
Количество обращений: 85
За последние 30 дней: 0
