Детальная информация
| Название | Локализованные состояния акцепторных примесей в квантовых ямах GaAs/AlGaAs: выпускная квалификационная работа магистра: 16.04.01 – Техническая физика ; 16.04.01_01 – Физика и техника полупроводников |
|---|---|
| Авторы | Балахтарь Григор Размикович |
| Научный руководитель | Софронов Антон Николаевич |
| Организация | Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций |
| Выходные сведения | Санкт-Петербург, 2018 |
| Коллекция | Выпускные квалификационные работы ; Общая коллекция |
| Тематика | Электромагнитные волны ; Полупроводники — Фотоэлектрические свойства ; Полупроводники — Примеси ; Галлий, арсенид |
| УДК | 537.311.322:535.215 |
| Тип документа | Выпускная квалификационная работа магистра |
| Тип файла | |
| Язык | Русский |
| Уровень высшего образования | Магистратура |
| Код специальности ФГОС | 16.04.01 |
| Группа специальностей ФГОС | 160000 - Физико-технические науки и технологии |
| Ссылки | Отзыв руководителя ; Рецензия |
| DOI | 10.18720/SPBPU/2/v18-1806 |
| Права доступа | Доступ по паролю из сети Интернет (чтение, печать, копирование) |
| Ключ записи | RU\SPSTU\edoc\53701 |
| Дата создания записи | 15.10.2018 |
Разрешенные действия
–
Действие 'Прочитать' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети
Действие 'Загрузить' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети
| Группа | Анонимные пользователи |
|---|---|
| Сеть | Интернет |
В диссертации рассматриваются акцепторные состояния примесей в структурах с квантовыми ямами. Проведен расчет вероятности рассеяния неравновесных дырок с одновременным испусканием фонона на возбужденное состояние акцептора в квантовой яме GaAs/AlGaAs. Получены температурные зависимости вероятности захвата дырок на возбужденные состояния акцепторов с одновременным испусканием оптического фонона. Исследована оптическая эмиссия и фотопроводимость терагерцового диапазона структуры с квантовыми ямами GaAs/AlGaAs, легированной акцепторной примесью при детектировании излучения с торца рассматриваемого образца.
| Место доступа | Группа пользователей | Действие |
|---|---|---|
| Локальная сеть ИБК СПбПУ | Все |
|
| Интернет | Авторизованные пользователи СПбПУ |
|
| Интернет | Анонимные пользователи |
|
Количество обращений: 60
За последние 30 дней: 0
