| Таблица | Карточка | RUSMARC | |
|
|
Разрешенные действия: –
Действие 'Прочитать' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети
Группа: Анонимные пользователи Сеть: Интернет |
Аннотация
В диссертации рассматриваются акцепторные состояния примесей в структурах с квантовыми ямами. Проведен расчет вероятности рассеяния неравновесных дырок с одновременным испусканием фонона на возбужденное состояние акцептора в квантовой яме GaAs/AlGaAs. Получены температурные зависимости вероятности захвата дырок на возбужденные состояния акцепторов с одновременным испусканием оптического фонона. Исследована оптическая эмиссия и фотопроводимость терагерцового диапазона структуры с квантовыми ямами GaAs/AlGaAs, легированной акцепторной примесью при детектировании излучения с торца рассматриваемого образца.
Права на использование объекта хранения
| Место доступа | Группа пользователей | Действие | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| Локальная сеть ИБК СПбПУ | Все |
|
||||
| Интернет | Авторизованные пользователи |
|
||||
|
Интернет | Анонимные пользователи |
Статистика использования документа
|
|
Количество обращений: 42
За последние 30 дней: 1 Подробная статистика |