Экспериментально исследованы спектры отражения и электролюминесценции эпитаксиальных слоев n-GaAs в терагерцовом диапазоне. С целью исследовать взаимодействие терагерцового излучения с поверхностными поляритонами, эксперименты проводились на слоях с вытравленной на поверхности периодической решеткой. Впервые подобные исследования проведены на сильнолегированных слоях n-GaAs, в которых в широком диапазоне частот возможно существование поверхностных плазмон-фонон-поляритонов. Для сравнения аналогичные исследования выполнены для плоских эпитаксиальных слоев. Проведено математическое моделирование исследованных спектров с помощью метода матриц переноса, метода RCWA и модели серого тела. Сопоставление экспериментальных спектров с расчетными позволило выявить резонансы, обусловленные поверхностными плазмон-фонон-поляритонами, определить параметры свободных электронов и эффективную температуру неравновесных объемных и поверхностных плазмон-фонон-поляритонов в сильном электрическом поле.