Детальная информация
| Название | Создание и исследование полупроводниковых дисковых лазеров в средней ИК-области спектра: выпускная квалификационная работа бакалавра: 11.03.04 - Электроника и наноэлектроника ; 11.03.04_04 - Микроэлектроника и твердотельная электроника |
|---|---|
| Авторы | Буренина Дарья Сергеевна |
| Научный руководитель | Яковлев Юрий Павлович |
| Организация | Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций |
| Выходные сведения | Санкт-Петербург, 2018 |
| Коллекция | Выпускные квалификационные работы ; Общая коллекция |
| Тематика | лазер ; моды шепчущей галереи ; полупроводниковый лазер ; дисковый лазер ; фотолитография |
| Тип документа | Выпускная квалификационная работа бакалавра |
| Тип файла | |
| Язык | Русский |
| Уровень высшего образования | Бакалавриат |
| Код специальности ФГОС | 11.03.04 |
| Группа специальностей ФГОС | 110000 - Электроника, радиотехника и системы связи |
| Ссылки | Отзыв руководителя |
| DOI | 10.18720/SPBPU/2/v18-1810 |
| Права доступа | Доступ по паролю из сети Интернет (чтение, печать, копирование) |
| Ключ записи | RU\SPSTU\edoc\54347 |
| Дата создания записи | 22.10.2018 |
Разрешенные действия
–
Действие 'Прочитать' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети
Действие 'Загрузить' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети
| Группа | Анонимные пользователи |
|---|---|
| Сеть | Интернет |
Данная работа посвящена разработке технологии изготовления дискового лазера, работающего на модах шепчущей галереи на основе выращенной молекулярно-пучковой эпитаксией наногетероструктуры AlGaAsSb/GaInAsSb. Она направлена на создание лазеров для спектрального диапазона 2-5 мкм. Отличительной особенностью таких лазеров является высокая добротность, которая на два порядка выше, чем у Фабри-Перо лазера. Приводятся результаты исследований полученных характеристик прибора. Показаны их электролюминисцентные свойства, диаграмма направленности и мощность излучения.
| Место доступа | Группа пользователей | Действие |
|---|---|---|
| Локальная сеть ИБК СПбПУ | Все |
|
| Интернет | Авторизованные пользователи СПбПУ |
|
| Интернет | Анонимные пользователи |
|
- Реферат
- Abstract
- Введение
- Глава 1. Дисковые лазеры для спектрального диапазона 2-5 Мкм (Литературный обзор)
- 1. Полупроводниковые лазеры
- 2. Материалы для создания лазеров
- 3. Эпитаксиальные методы создания гетероструктур
- 4. Постростовая технология
- 5. Моды шепчущей галереи
- Глава 2. Технология создания дисковых лазеров на основе структуры AlGaAsSb/GaInAsSb
- 2.1 Эпитаксиальный метод создания гетероструктуры AlGaAsSb/GaInAsSb
- 2.2 Создание омического контакта методом взрывной фотолитографии
- 2.3 Утолщение омического контакта методом локального электрохимического осаждения золота
- 2.4 Создание разделительных канавок
- 2.5 Создание сплошного тыльного контакта
- 2.6 Вжигание
- 2.7 Утолщение тыльного контакта
- 2.8 Травление мезаструктуры
- Глава 3. Характеристики и результаты измерений готового прибора
- 3.1 Спектр излучения
- 3.2. Диаграмма направленности излучения
- 3.3. Вольт-амперная характеристика дискового лазера
- 3.4. Мощность излучения
- Заключение
- Список литературы
Количество обращений: 55
За последние 30 дней: 0
