Данная работа посвящена разработке технологии изготовления дискового лазера, работающего на модах шепчущей галереи на основе выращенной молекулярно-пучковой эпитаксией наногетероструктуры AlGaAsSb/GaInAsSb. Она направлена на создание лазеров для спектрального диапазона 2-5 мкм. Отличительной особенностью таких лазеров является высокая добротность, которая на два порядка выше, чем у Фабри-Перо лазера. Приводятся результаты исследований полученных характеристик прибора. Показаны их электролюминисцентные свойства, диаграмма направленности и мощность излучения.

• Реферат
• Abstract
• Введение
• Глава 1. Дисковые лазеры для спектрального диапазона 2-5 Мкм (Литературный обзор)
  • 1. Полупроводниковые лазеры
  • 2. Материалы для создания лазеров
  • 3. Эпитаксиальные методы создания гетероструктур
  • 4. Постростовая технология
  • 5. Моды шепчущей галереи
• Глава 2. Технология создания дисковых лазеров на основе структуры AlGaAsSb/GaInAsSb
  • 2.1 Эпитаксиальный метод создания гетероструктуры AlGaAsSb/GaInAsSb
  • 2.2 Создание омического контакта методом взрывной фотолитографии
  • 2.3 Утолщение омического контакта методом локального электрохимического осаждения золота
  • 2.4 Создание разделительных канавок
  • 2.5 Создание сплошного тыльного контакта
  • 2.6 Вжигание
  • 2.7 Утолщение тыльного контакта
  • 2.8 Травление мезаструктуры
• Глава 3. Характеристики и результаты измерений готового прибора
  • 3.1 Спектр излучения
  • 3.2. Диаграмма направленности излучения
  • 3.3. Вольт-амперная характеристика дискового лазера
  • 3.4. Мощность излучения
• Заключение
• Список литературы