Детальная информация
| Название | Создание и исследование фотодиодов в средней ИК области спектра (2-5 мкм) на основе гетероструктур InAsSb/InAsSbP: выпускная квалификационная работа бакалавра: 11.03.04 - Электроника и наноэлектроника ; 11.03.04_04 - Микроэлектроника и твердотельная электроника |
|---|---|
| Авторы | Степанов Евгений Михайлович |
| Научный руководитель | Яковлев Юрий Павлович |
| Организация | Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций |
| Выходные сведения | Санкт-Петербург, 2018 |
| Коллекция | Выпускные квалификационные работы ; Общая коллекция |
| Тематика | фотодиод ; двойная гетероструктура ; средний ИК диапазон |
| Тип документа | Выпускная квалификационная работа бакалавра |
| Язык | Русский |
| Уровень высшего образования | Бакалавриат |
| Код специальности ФГОС | 11.03.04 |
| Группа специальностей ФГОС | 110000 - Электроника, радиотехника и системы связи |
| Ссылки | Отзыв руководителя |
| DOI | 10.18720/SPBPU/2/v18-1812 |
| Права доступа | Доступ по паролю из сети Интернет (чтение, печать, копирование) |
| Ключ записи | RU\SPSTU\edoc\54427 |
| Дата создания записи | 23.10.2018 |
Разрешенные действия
–
Действие 'Прочитать' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети
Действие 'Загрузить' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети
| Группа | Анонимные пользователи |
|---|---|
| Сеть | Интернет |
В настоящей работе разработаны и исследованы фотоприёмники на основе гетероструктур InAs/InAs[0.94]Sb[0.06]/InAsSbP/InAs[0.88]Sb[0.12]/InAsSbP, работающие в средней ИК области спектра 2-5 мкм при комнатной температуре. Следует отметить, что токовая монохроматическая чувствительность достигает значений 0.6−0.8A/Вт в спектральном диапазоне λ[max] = 4.0−4.6 мкм, а значения плотности обратных токов достигает значений (1.3−7.5)×10{−2} A/см{2}. При этом обнаружительная способность фотоприёмника достигает (5−8)×10{8} см•Гц{1/2}•Вт{−1}.
| Место доступа | Группа пользователей | Действие |
|---|---|---|
| Локальная сеть ИБК СПбПУ | Все |
|
| Интернет | Авторизованные пользователи СПбПУ |
|
| Интернет | Анонимные пользователи |
|
- Глава 1. Обзор литературы
- Многокомпонентные твердые растворы на основе соединений А3В5
- Способы синтеза полупроводниковых структур А3В5
- Молекулярно-лучевая эпитаксия
- Жидкофазная эпитаксия
- Инженерия дизайна приборов на основе соединений А3В5
- Гомоструктура
- Варизонная структура
- Односторонняя гетероструктура
- Двойная гетероструктура
- Фотодиоды
- Глава 2. Технология проведения экспериментов на установке ЖФЭ
- Описание установки
- Изначальные материалы и их подготовка
- Методика получения эпитаксиальных слоев
- Постростовая обработка
- Глава 3. Обсуждение экспериментальныхрезультатов
- Селективный фотоприемник
- Вольт-амперные характеристики
- Спектр фоточувствительности
- Широкополосные фотоприемники
- Определение положенияp-n-перехода
- Электрические параметры фотоприемника
- Глава 4. Безопасность труда
- Общая оценка условий для проведения исследований
- Пожарная безопасность
- Безопасность при работе со сжиженными газами
- Производственное освещение
- Электробезопасность
- Заключение
- Списоклитературы
