С 17 марта 2020 г. для ресурсов (учебные, научные, материалы конференций, статьи из периодических изданий, авторефераты диссертаций, диссертации) ЭБ СПбПУ, обеспечивающих образовательный процесс, установлен особый режим использования. Обращаем внимание, что ВКР/НД не относятся к этой категории.

Детальная информация

Название: Создание и исследование фотодиодов в средней ИК области спектра (2-5 мкм) на основе гетероструктур InAsSb/InAsSbP: выпускная квалификационная работа бакалавра: 11.03.04 - Электроника и наноэлектроника ; 11.03.04_04 - Микроэлектроника и твердотельная электроника
Авторы: Степанов Евгений Михайлович
Научный руководитель: Яковлев Юрий Павлович
Организация: Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций
Выходные сведения: Санкт-Петербург, 2018
Коллекция: Выпускные квалификационные работы; Общая коллекция
Тематика: фотодиод; двойная гетероструктура; средний ИК диапазон
Тип документа: Выпускная квалификационная работа бакалавра
Тип файла: PDF
Язык: Русский
Код специальности ФГОС: 11.03.04
Группа специальностей ФГОС: 110000 - Электроника, радиотехника и системы связи
Ссылки: Отзыв руководителя
DOI: 10.18720/SPBPU/2/v18-1812
Права доступа: Свободный доступ из сети Интернет (чтение)

Разрешенные действия:

Действие 'Прочитать' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети

Группа: Анонимные пользователи

Сеть: Интернет

Аннотация

В настоящей работе разработаны и исследованы фотоприёмники на основе гетероструктур InAs/InAs[0.94]Sb[0.06]/InAsSbP/InAs[0.88]Sb[0.12]/InAsSbP, работающие в средней ИК области спектра 2-5 мкм при комнатной температуре. Следует отметить, что токовая монохроматическая чувствительность достигает значений 0.6−0.8A/Вт в спектральном диапазоне λ[max] = 4.0−4.6 мкм, а значения плотности обратных токов достигает значений (1.3−7.5)×10{−2} A/см{2}. При этом обнаружительная способность фотоприёмника достигает (5−8)×10{8} см•Гц{1/2}•Вт{−1}.

Права на использование объекта хранения

Место доступа Группа пользователей Действие
Локальная сеть ИБК СПбПУ Все Прочитать
Интернет Авторизованные пользователи Прочитать
-> Интернет Анонимные пользователи

Оглавление

  • Глава 1. Обзор литературы
  • Многокомпонентные твердые растворы на основе соединений А3В5
  • Способы синтеза полупроводниковых структур А3В5
    • Молекулярно-лучевая эпитаксия
    • Жидкофазная эпитаксия
  • Инженерия дизайна приборов на основе соединений А3В5
  • Гомоструктура
    • Варизонная структура
    • Односторонняя гетероструктура
    • Двойная гетероструктура
  • Фотодиоды
  • Глава 2. Технология проведения экспериментов на установке ЖФЭ
  • Описание установки
  • Изначальные материалы и их подготовка
  • Методика получения эпитаксиальных слоев
  • Постростовая обработка
  • Глава 3. Обсуждение экспериментальныхрезультатов
  • Селективный фотоприемник
    • Вольт-амперные характеристики
    • Спектр фоточувствительности
  • Широкополосные фотоприемники
    • Определение положенияp-n-перехода
    • Электрические параметры фотоприемника
  • Глава 4. Безопасность труда
  • Общая оценка условий для проведения исследований
  • Пожарная безопасность
  • Безопасность при работе со сжиженными газами
  • Производственное освещение
  • Электробезопасность
  • Заключение
  • Списоклитературы

Статистика использования

stat Количество обращений: 34
За последние 30 дней: 0
Подробная статистика