?

Details
Table Card RUSMARC
Title: Электрические свойства гетеропереходов Si/Cd₁₋ₓZnₓTe: выпускная квалификационная работа магистра: 11.04.04 - Электроника и наноэлектроника ; 11.04.04_01 - Микроэлектроника и наноэлектроника
Creators: Коровина Мария Алексеевна
Scientific adviser: Зыков Валерий Андреевич
Organization: Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций
Imprint: Санкт-Петербург, 2018
Collection: Выпускные квалификационные работы; Общая коллекция
Subjects: Полупроводниковые гетеропереходы; Цинк
UDC: 537.311.322
Document type: Master graduation qualification work
File type: PDF
Language: Russian
Level of education: Master
Speciality code (FGOS): 11.04.04
Speciality group (FGOS): 110000 - Электроника, радиотехника и системы связи
Links: Отзыв руководителя; Рецензия
DOI: 10.18720/SPBPU/2/v18-1814
Rights: Доступ по паролю из сети Интернет (чтение, печать, копирование)
Record key: RU\SPSTU\edoc\53844

Allowed Actions: –

Action 'Read' will be available if you login or access site from another network Action 'Download' will be available if you login or access site from another network

Group: Anonymous

Network: Internet

Annotation

В работе исследуются электрические и фотоэлектрические свойства гетероперехода Si/Cd1-xZnxTe. Приводятся результаты экспериментальных исследований спектрального и интегрального распределения фоточувствительности в гетероструктуреSi/Cd1-xZnxTe с различным содержанием цинка в пленке Si/Cd1-xZnxTe. Также приводятся экспериментальные исследования ВАХ гетероструктур. На основе результатов были исследованы механизмы токопрохождения и формирование фоточувствительности в гетеропереходе Si/Cd1-xZnxTe.

Document access rights

Network User group Action
ILC SPbPU Local Network All Read Print Download
Internet Authorized users SPbPU Read Print Download
-> Internet Anonymous

Usage statistics

stat Access count: 95
Last 30 days: 0
Detailed usage statistics