В настоящей работе представлены результаты исследований терагерцовой примесной фотолюминесценции двух наноструктур. Первая наноструктура имеет квантовые ямы GaAs/AlGaAs легированные донорной примесью кремния. Другая наноструктура имеет квантовые ямы GaAs/AlGaAs легированные донорной примесью кремния и акцепторной примесью бериллия. Примеси кремния и бериллия легированы в равных количествах. В спектрах терагерцового излучения наблюдаются пики, связанные с переходами электронов из основной электронной подзоны на основное состояние донора, а также с внутрицентровыми переходами. Показана возможность увеличения интегральной интенсивности примесного терагерцового излучения в квантовых ямах с компенсированными примесями по сравнению с квантовыми ямами n-типа.