В настоящей работе исследованы спектры излучения от ансамбля и одиночных квантовых точек InP/GaInP при помощи методов микрофотолюминесценции и ближнепольной оптической микроскопии. Эти КТ обладают большими латеральными размерами и низкой плотностью. Определено процентное содержание диффундирующего Ga в квантовой точке InP. Были сняты зависимости спектрального положения линий одиночных точек от величины магнитного поля. По эти зависимостям можно судить о наличии в квантовых точках экситонов и многозарядных комплексов.