С 17 марта 2020 г. для ресурсов (учебные, научные, материалы конференций, статьи из периодических изданий, авторефераты диссертаций, диссертации) ЭБ СПбПУ, обеспечивающих образовательный процесс, установлен особый режим использования. Обращаем внимание, что ВКР/НД не относятся к этой категории.

Детальная информация

Название: Формирователь балансного сигнала для КМОП-технологии: выпускная квалификационная работа бакалавра: 11.03.04 — Электроника и наноэлектроника ; 11.03.04_03 — Интегральная электроника и наноэлектроника
Авторы: Сиганов Михаил Андреевич
Научный руководитель: Морозов Дмитрий Валерьевич
Организация: Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций
Выходные сведения: Санкт-Петербург, 2018
Коллекция: Выпускные квалификационные работы; Общая коллекция
Тематика: балансный сигнал; переключаемые конденсаторы; КМОП; дифференциальный сигнал; операционный усилитель
Тип документа: Выпускная квалификационная работа бакалавра
Тип файла: PDF
Язык: Русский
Код специальности ФГОС: 11.03.04
Группа специальностей ФГОС: 110000 - Электроника, радиотехника и системы связи
Ссылки: Отзыв руководителя
DOI: 10.18720/SPBPU/2/v18-4107
Права доступа: Свободный доступ из сети Интернет (чтение, печать)

Разрешенные действия:

Действие 'Прочитать' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети

Группа: Анонимные пользователи

Сеть: Интернет

Аннотация

Объектом исследования является формирователь балансного сигнала. Цель работы – исследование схемы формирователя балансного сигнала для КМОП-технологии. В ходе работы был проведен анализ литературы на тему использования балансного входа в устройствах аналого-цифровых преобразователей. Был разработан формирователь балансного сигнала для КМОП-технологии 180 нм и был промоделирован в системе автоматизированного проектирования “Cadence”, были оценены его характеристики. Минимальным временем такта можно считать 4 нс для которого SNR составляет 77,12 дБ при амплитуде 100 мВ. При изменении амплитуды от 50 мВ до 100 мВ SNR изменяется от 92,83 дБ до 88,44 дБ соответственно. Худшим является вариант с медленными p-МОП транзисторами и быстрыми n-МОП при температуре -40 градусов. Для данного случая значение SNR составляет 76,97 дБ.

Права на использование объекта хранения

Место доступа Группа пользователей Действие
Локальная сеть ИБК СПбПУ Все Прочитать Печать
Интернет Авторизованные пользователи Прочитать Печать
-> Интернет Анонимные пользователи

Статистика использования

stat Количество обращений: 0
За последние 30 дней: 0
Подробная статистика