Детальная информация

Название: Свойства эпитаксиальных нанослоев железо–иттриевого граната, выращенных методом молекулярно–лучевой эпитаксии: выпускная квалификационная работа бакалавра: 03.03.02 – Физика
Авторы: Плахотник Иван Андреевич
Научный руководитель: Сутурин С. М.
Организация: Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций
Выходные сведения: Санкт-Петербург, 2018
Коллекция: Выпускные квалификационные работы; Общая коллекция
Тематика: железо-иттриевый гранат; лазерная молекулярно-лучевая эпитаксия; дифракция отраженных быстрых электронов; атомно-силовая микроскопия; моноатомные слои
Тип документа: Выпускная квалификационная работа бакалавра
Тип файла: PDF
Язык: Русский
Код специальности ФГОС: 03.03.02
Группа специальностей ФГОС: 030000 - Физика и астрономия
Ссылки: Отзыв руководителя; Рецензия
DOI: 10.18720/SPBPU/2/v18-5651
Права доступа: Доступ по паролю из сети Интернет (чтение, печать, копирование)

Разрешенные действия:

Действие 'Прочитать' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети Действие 'Загрузить' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети

Группа: Анонимные пользователи

Сеть: Интернет

Аннотация

В данной работе описывается технология выращивания нанослоев железо-иттриевого граната (Y[3]Fe[5]O[12] или YIG) методом молекулярно-лучевой эпитаксии, а также особенности дифракционных картин и рельефа полученных наноструктур. Тонкие пленки железо-иттриевого граната благодаря своим магнитным свойствам и хорошей проводимости спиновых волн получили широкое применение в области спиновой наноэлектроники. Для успешного использования выращенные нанопленки должны иметь хорошее кристаллическое качество и малую толщину. Поиск подходящих условий роста пленки и анализ полученных результатов и есть основная цель этой работы. В качестве материала подложки использовался галлий-гадолиниевый гранат (Gd[3]Ga[5]O[12] или GGG), так как его кристаллическая решетка практически идентична решетке YIG. Рост проводился вдоль направления (111) при температуре 800-1000 градусов Цельсия и давлении кислорода 0.02 мбар. Толщина выращенной пленки 10 нм. Далее последовало исследование образца с помощью дифракции быстрых электронов и атомно-силового микроскопа. Интерпретация результатов сканирования позволила сделать вывод, что пленка обладает высокой гладкостью поверхности.

Права на использование объекта хранения

Место доступа Группа пользователей Действие
Локальная сеть ИБК СПбПУ Все Прочитать Печать Загрузить
Интернет Авторизованные пользователи Прочитать Печать Загрузить
-> Интернет Анонимные пользователи

Статистика использования

stat Количество обращений: 33
За последние 30 дней: 0
Подробная статистика