Таблица | Карточка | RUSMARC | |
Разрешенные действия: –
Действие 'Прочитать' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети
Действие 'Загрузить' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети
Группа: Анонимные пользователи Сеть: Интернет |
Аннотация
В данной работе описывается технология выращивания нанослоев железо-иттриевого граната (Y[3]Fe[5]O[12] или YIG) методом молекулярно-лучевой эпитаксии, а также особенности дифракционных картин и рельефа полученных наноструктур. Тонкие пленки железо-иттриевого граната благодаря своим магнитным свойствам и хорошей проводимости спиновых волн получили широкое применение в области спиновой наноэлектроники. Для успешного использования выращенные нанопленки должны иметь хорошее кристаллическое качество и малую толщину. Поиск подходящих условий роста пленки и анализ полученных результатов и есть основная цель этой работы. В качестве материала подложки использовался галлий-гадолиниевый гранат (Gd[3]Ga[5]O[12] или GGG), так как его кристаллическая решетка практически идентична решетке YIG. Рост проводился вдоль направления (111) при температуре 800-1000 градусов Цельсия и давлении кислорода 0.02 мбар. Толщина выращенной пленки 10 нм. Далее последовало исследование образца с помощью дифракции быстрых электронов и атомно-силового микроскопа. Интерпретация результатов сканирования позволила сделать вывод, что пленка обладает высокой гладкостью поверхности.
Права на использование объекта хранения
Место доступа | Группа пользователей | Действие | ||||
---|---|---|---|---|---|---|
Локальная сеть ИБК СПбПУ | Все | |||||
Интернет | Авторизованные пользователи СПбПУ | |||||
Интернет | Анонимные пользователи |
Статистика использования
Количество обращений: 34
За последние 30 дней: 0 Подробная статистика |