В результате проделанной работы была разработана и создана универсальная установка плазмохимического травления различных материалов электронной техники с возможностью независимой регулировки энергии ионов, поступающих к поверхности обрабатываемого материала, а также с возможностью регулировки температуры подложкодержателя в диапазоне от 20 до 400 ºС.

As a result of the work done, the universal installation of plasma-chemical etching of various materials of electronic technology was created. Implemented the possibility of independent adjustment of ions energies which are coming to the surface of the processed material, as well as the possibility of adjusting the temperature of the substrate holder in the range from 20 to 400 ºC.

• Введение
• ГЛАВА 1. ЛИТЕРАТУРНЙЫ ОБЗОР
• 1.1. Анализ развития рынка микроэлектромеханических (МЭМС) систем
• 1.2. Анализ современного состояния технологий проведения процессов глубокого высокоскоростного анизотропного плазмохимического травления кварца, карбида кремния и ниобата лития
• 1.3. Анализ современного технологического оборудования для проведения высокопроизводительных процессов плазмохимического травления кварца, карбида кремния и ниобата лития
• ГЛАВА 2. РАЗРАБОТКА И СОЗДАНИЕ УНИВЕРСАЛЬНОЙ УСТАНОВКИ ПЛАЗМОХИМИЧЕСКОГО ТРАВЛЕНИЯ РАЗЛИЧНЫХ МАТЕРИАЛОВ ЭЛЕКТРОННОЙ ТЕХНИКИ
• 2.1. Разработка концепции реактора установки плазмохимического травления
• 2.2. Математическое моделирование газовой динамики
• 2.4. Математическое моделирование индуктивно-связанной плазмы
• 2.4. Математическое моделирование температурных полей подложкодержателя
• ГЛАВА 3. СОЗДАНИЕ И АПРОБАЦИЯ УСТАНОВКИ
• Заключение
• Список использованной литературы