Table | Card | RUSMARC | |
Allowed Actions: –
Action 'Read' will be available if you login or access site from another network
Group: Anonymous Network: Internet |
Annotation
Работа посвящена исследованию процессов селективного жидкостного травления эпитаксиальных гетероструктур AlGaAs/InGaAs/GaAs для создания мощных полупроводниковых лазеров. В работе приведен аналитический обзор литературных данных касательно механизма жидкостного химического травления, изучены и выбраны виды травителей, концентрации и скорости травления структур, проведены измерения глубины травления с помощью профилометра, оценены профили травления.
The work is devoted to the study of selective liquid etching of epitaxial heterostructures AlGaAs/InGaAs/GaAs to create high-power semiconductor lasers. The paper presents analytical review of literature data regarding the mechanism of liquid chemical etching, are studied and selected types of etchants, concentration and speed of etching of the structures, measurements of the depth of etching using a profilometer, the estimated profiles of etching.
Document access rights
Network | User group | Action | ||||
---|---|---|---|---|---|---|
ILC SPbPU Local Network | All | |||||
Internet | Authorized users SPbPU | |||||
Internet | Anonymous |
Usage statistics
Access count: 22
Last 30 days: 0 Detailed usage statistics |