Проанализирована литература по исследованию Mg в Si. Апробирована технология диффузии с помощью «сэндвич» – метода Mg в Si по исследованию температурной зависимости концентрации свободных электронов (эффект Холла) в объемно-легированных образцах. Измерены пространственные распределения электрически активного магния в кремнии в образцах с односторонней диффузией. Из этих данных получены эффективные значения коэффициента диффузии магния в кремнии при температурах и при длительности диффузионного процесса 7.5 часов. Кратко обсуждаются основные особенности полученных данных.

The literature on the study of Mg in Si was analyzed. Diffusion technology Mg in Si with «sandwich» – method was approved by concentration of free electrons dependence on temperature (Hall effect) in doped bulk samples. Distribution of electrically active magnesium in silicon samples with oneside diffusion was researched. From these data was obtained the effective magnesium diffusion coefficient in silicon for diffusion temperatures and with a diffusion time of 7.5 hours. The principal features were discussed briefly from the data obtained.