С 17 марта 2020 г. для ресурсов (учебные, научные, материалы конференций, статьи из периодических изданий, авторефераты диссертаций, диссертации) ЭБ СПбПУ, обеспечивающих образовательный процесс, установлен особый режим использования. Обращаем внимание, что ВКР/НД не относятся к этой категории.

Details

Title: Накопление радиационных повреждений и деградация проводимости GaN при облучении ускоренными ионами: выпускная квалификационная работа магистра: 16.04.01 - Техническая физика ; 16.04.01_02 - Физика структур пониженной размерности
Creators: Стручков Андрей Иванович
Scientific adviser: Титов Андрей Иванович
Organization: Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций
Imprint: Санкт-Петербург, 2019
Collection: Выпускные квалификационные работы; Общая коллекция
Subjects: Галлий, нитриды; Ионизирующие излучения; ионная имплантация; радиационные повреждения; инженерия дефектов; деградация проводимости; химические эффекты; комбинированное облучение
UDC: 661.868.1; 539.16
Document type: Master graduation qualification work
File type: PDF
Language: Russian
Speciality code (FGOS): 16.04.01
Speciality group (FGOS): 160000 - Физико-технические науки и технологии
Links: Отзыв руководителя; Рецензия; Отчет о проверке на объем и корректность внешних заимствований
DOI: 10.18720/SPBPU/3/2019/vr/vr19-1683
Rights: Свободный доступ из сети Интернет (чтение, печать, копирование)

Allowed Actions:

Action 'Read' will be available if you login or access site from another network Action 'Download' will be available if you login or access site from another network

Group: Anonymous

Network: Internet

Annotation

Работа посвящена исследованию физических принципов накопления дефектов в решетке нитрида галлия при воздействии ионных облучений с различными параметрами. Рассмотрен процесс деградации электрической проводимости эпитаксиальных слоев GaN при облучении ионами Au, Ag, Ni с энергиями ~ 100 МэВ, выполнено математическое моделирование данного процесса, на основе чего сделан вывод о вкладе электронных и ядерных потерь энергии ионов в явление роста сопротивления. Произведено сравнение накопления устойчивых структурных повреждений при облучении ионами Ne и F с энергиями 1.3 и 3.2 кэВ/а.е.м. с целью определения роли химических эффектов при облучении ионами фтора. Изучен процесс последовательного облучения GaN ионами F различных энергий, показана некоммутативность такого облучения, сделан вывод о физическом механизме образования насыщения уровня разупорядочения в объемном максимуме дефектов при облучении GaN легкими ионами.

The work contains a study of physical principles of radiation damage accumulation in GaN under ion irradiation with various parameters. The electrical conductivity degradation of epitaxial GaN layers is studied after irradiation of Au, Ag, Ni ions with ~ 100 MeV energies, and this process is mathematically modelled. The conclusion is made about the contribution of electron and nuclear ion energy losses to the resistance increase. Stable damage accumulation is compared for Ne and F ions irradiation with 1.3 keV/amu and 3.2 keV/amu energies. The combined irradiation of F ions with different energies is studied. Such process is shown to be noncommutative, and the physical mechanism of disorder level saturation in bulk defect maximum during light ion irradiation of GaN is discussed.

Document access rights

Network User group Action
ILC SPbPU Local Network All Read Print Download
Internet Authorized users Read Print Download
-> Internet Anonymous

Usage statistics

stat Access count: 34
Last 30 days: 1
Detailed usage statistics