С 17 марта 2020 г. для ресурсов (учебные, научные, материалы конференций, статьи из периодических изданий, авторефераты диссертаций, диссертации) ЭБ СПбПУ, обеспечивающих образовательный процесс, установлен особый режим использования. Обращаем внимание, что ВКР/НД не относятся к этой категории.

Details

Title: Оптические свойства квантоворазмерных гетероструктур InGaAlAs оптического диапазона 1.55 мкм, выращенных на подложках InP: выпускная квалификационная работа бакалавра: 11.03.04 - Электроника и наноэлектроника ; 11.03.04_04 - Микроэлектроника и твердотельная электроника
Creators: Потапов Александр Юрьевич
Scientific adviser: Паневин Вадим Юрьевич
Organization: Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт промышленного менеджмента, экономики и торговли
Imprint: Санкт-Петербург, 2019
Collection: Выпускные квалификационные работы; Общая коллекция
Subjects: фотолюминесценция; квантовые ямы; рекомбинация; легирование; photoluminescence; quantum wells; recombination; doping
Document type: Bachelor graduation qualification work
File type: PDF
Language: Russian
Speciality code (FGOS): 11.03.04
Speciality group (FGOS): 110000 - Электроника, радиотехника и системы связи
Links: Отзыв руководителя; Отчет о проверке на объем и корректность внешних заимствований
DOI: 10.18720/SPBPU/3/2019/vr/vr19-2192
Rights: Свободный доступ из сети Интернет (чтение, печать, копирование)

Allowed Actions:

Action 'Read' will be available if you login or access site from another network Action 'Download' will be available if you login or access site from another network

Group: Anonymous

Network: Internet

Annotation

В данной работе представлены результаты исследования оптических свойств полупроводниковых гетероструктур InGaAs/InGaAlAs с квантовыми ямами InGaAs, выращенных на подложке InP, в оптическом диапазоне 1.55 мкм. Представлены результаты исследования влияния примесей на зависимости интегральной фотолюминесценции и ширину спектра от плотности мощности возбуждения. Получены и подвергнуты анализу зависимости интегральной интенсивности фотолюминесценции и ширины спектра от температуры. Обнаружено, что с понижением температуры в спектрах фотолюминесценции у некоторых структур проявляется второй пик.

In this work we present the results of studying the optical properties of InGaAs/InGaAlAs semiconductor heterostructures with InGaAs quantum wells grown on an InP substrate in the optical range of 1.55 μm. The results of the influence of impurities on the dependences of the integrated photoluminescence and width of the spectrum on the excitation power density are presented. The dependences of the integrated photoluminescence intensity and width of the spectrum on temperature were obtained and analyzed. It is observed that lowering of the temperature results in a second peak in photoluminescence spectrum for some structures.

Document access rights

Network User group Action
ILC SPbPU Local Network All Read Print Download
Internet Authorized users Read Print Download
-> Internet Anonymous

Usage statistics

stat Access count: 51
Last 30 days: 0
Detailed usage statistics