Table | Card | RUSMARC | |
Allowed Actions: –
Action 'Read' will be available if you login or access site from another network
Group: Anonymous Network: Internet |
Annotation
Данная работа представляет собой исследование омического контакта к транзисторной структуре на основе нитрида галлия. Собраны литературные данные о формировании, свойствах и принципе работы омических контактов. Описан полный цикл технологических операций по формированию омического контакта. Проведены эксперименты по оптимизации режимов термического отжига.
This work is a study of the ohmic contact to the transistor structure based on gallium nitride. Collected literature data on the formation, properties and working principle of ohmic contacts. A complete cycle of technological operations for the formation of an ohmic contact is described. Experiments were carried out to optimize the thermal annealing regimes.
Document access rights
Network | User group | Action | ||||
---|---|---|---|---|---|---|
ILC SPbPU Local Network | All | |||||
Internet | Authorized users SPbPU | |||||
Internet | Anonymous |
Usage statistics
Access count: 20
Last 30 days: 0 Detailed usage statistics |