Таблица | Карточка | RUSMARC | |
Разрешенные действия: –
Действие 'Прочитать' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети
Группа: Анонимные пользователи Сеть: Интернет |
Аннотация
Данная работа представляет собой исследование омического контакта к транзисторной структуре на основе нитрида галлия. Собраны литературные данные о формировании, свойствах и принципе работы омических контактов. Описан полный цикл технологических операций по формированию омического контакта. Проведены эксперименты по оптимизации режимов термического отжига.
This work is a study of the ohmic contact to the transistor structure based on gallium nitride. Collected literature data on the formation, properties and working principle of ohmic contacts. A complete cycle of technological operations for the formation of an ohmic contact is described. Experiments were carried out to optimize the thermal annealing regimes.
Права на использование объекта хранения
Место доступа | Группа пользователей | Действие | ||||
---|---|---|---|---|---|---|
Локальная сеть ИБК СПбПУ | Все | |||||
Интернет | Авторизованные пользователи СПбПУ | |||||
Интернет | Анонимные пользователи |
Статистика использования
Количество обращений: 20
За последние 30 дней: 0 Подробная статистика |